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Picor Micro-Ohm MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管

文件來(lái)源：Foo Kee-福基電子有限公司
文件類型：pdf
更新時(shí)間：2012-12-19
文件大小：149K

PI5101 μRDS(on)FET? 方案結(jié)合了一個(gè)高質(zhì)素的5V, 360 μΩ 橫向N 溝道的場(chǎng)效應(yīng)管和利用一個(gè)祗有4.1mm x 8mm x 2mm 的LGA(Land Grid Array)封裝, 使產(chǎn)品于工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的SO-8封裝范圍內(nèi)達(dá)到世界級(jí)水平.

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