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電源管理

HOMSEMI中低壓MOSFET全面升級(jí)8英寸0.18μm Trench工藝

2011年12月，廣州成啟半導(dǎo)體有限公司宣布，HOMSEMI中低壓MOSFET全面使用8英寸、0.18μm、Trench工藝晶圓。成啟半導(dǎo)體表示，這次產(chǎn)品升級(jí)已經(jīng)過一年準(zhǔn)備和試產(chǎn)，將使Power MOSFET的原胞密度提高、RDS（ON）降低、QG降低，提高整機(jī)效率，同時(shí)獲得更好的成本控制能力，這意味著，HOMSEMI成為國內(nèi)一線分...

2012-02-13

HOMSEMI Power MOSFET Trench MOSFET

晶閘管在高壓軟起動(dòng)中的選型及應(yīng)用

晶閘管電機(jī)軟起動(dòng)器的出現(xiàn)，彌補(bǔ)了傳統(tǒng)軟起動(dòng)器的各種不足，很好地降低了電機(jī)的起動(dòng)電流，降低了配電容量，延長了電機(jī)及相關(guān)設(shè)備的使用壽命。起動(dòng)參數(shù)可視負(fù)載調(diào)整，易于維護(hù)。本文介紹晶閘管電機(jī)軟起動(dòng)器工作原理，晶閘管的選型及晶閘管的保護(hù)設(shè)計(jì)。

2012-02-13

晶閘管電機(jī) 軟起動(dòng) 過壓過流

線性穩(wěn)壓器的短路保護(hù)電路設(shè)計(jì)

一個(gè)高可靠性的線性穩(wěn)壓器通常需要有限流保護(hù)電路，以防止因負(fù)載短路或者過載對(duì)穩(wěn)壓器造成永久性的損壞。在限流型保護(hù)電路的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)改進(jìn)了一個(gè)短路保護(hù)電路，確保短路情況下，關(guān)斷功率MOS管。本文分別定性和定量地分析了這種短路保護(hù)電路的工作過程和原理，同時(shí)給出基于TSMCO．18μm CMOS工藝的...

2012-02-13

線性穩(wěn)壓器限流保護(hù)電路短路保護(hù) 短路保護(hù)電路

鉛蓄電池再遭嚴(yán)打鋰電池受益直接出位

去年由于血鉛等各種污染問題嚴(yán)重，整個(gè)鉛蓄電池行業(yè)迎來一場較大的整頓風(fēng)暴，整個(gè)行業(yè)中眾多企業(yè)在行業(yè)整頓中紛紛落馬，市場對(duì)于鋰電池的關(guān)注度瞬間上升，業(yè)內(nèi)極為看好鋰電池等新能源電池的發(fā)展前景，但是由于種種優(yōu)勢因素的存在，行業(yè)集中度進(jìn)一步提供之后，為僅存的大型鉛蓄電池提供了更佳的競爭...

2012-02-13

鉛蓄電池鋰電池鋰離子電池環(huán)保

我國LED電源產(chǎn)業(yè)還未成熟系統(tǒng)化集成化將成發(fā)展趨勢

由于LED產(chǎn)業(yè)在最近幾年得到了飛躍式發(fā)展，已逐漸從政府機(jī)關(guān)照明方向轉(zhuǎn)向民用照明，得益于國家近期出臺(tái)一些列鼓勵(lì)發(fā)展LED產(chǎn)業(yè)的政策，但由此也帶來了很多問題，LED驅(qū)動(dòng)電源的問題便暴露出來，。LED 驅(qū)動(dòng)電源市場與下游行業(yè)，特別是大功率LED 路燈的發(fā)展密切相關(guān)，但隨著 LED 各項(xiàng)性能參數(shù)的不斷提升...

2012-02-13

LED產(chǎn)業(yè) LED 路燈 LED驅(qū)動(dòng)電源 LED照明

安森美半導(dǎo)體推出降低待機(jī)能耗的突破性電源產(chǎn)品

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN) 持續(xù)開發(fā)創(chuàng)新技術(shù)及產(chǎn)品，使公司能夠?yàn)槭袌鎏峁┴S富的電源半導(dǎo)體方案。

2012-02-13

安森美半導(dǎo)體待機(jī)能耗電源

78M6631：Maxim推出Teridian三相功率測量SoC用于電能監(jiān)測

Maxim Integrated Products, Inc 推出Teridian三相功率測量片上系統(tǒng)(SoC) 78M6631，用于大功率負(fù)載的電能監(jiān)測。完全集成的可定制電能測量系統(tǒng)具有完備的測量和診斷功能，有效簡化設(shè)計(jì)、降低成本。78M6631適合各種需要監(jiān)測三相功率和供電質(zhì)量的應(yīng)用，包括：工業(yè)控制面板、電機(jī)、太陽能板逆變器、存儲(chǔ)...

2012-02-10

78M6631 Maxim Teridian SoC 電能監(jiān)測

開關(guān)電源MOSFET漏源極電壓電磁干擾的仿真分析

本文從干擾源入手，對(duì)時(shí)域開關(guān)電壓信號(hào)進(jìn)行電磁干擾特性研究，通過提取MOSFET時(shí)域電壓信號(hào)的特征參數(shù)，利用傅立葉變換(FFT)法，分析了開關(guān)信號(hào)電磁干擾的頻譜情況以及各參數(shù)對(duì)頻譜的影響，通過Matlab仿真證明了上述分析的正確性及工程實(shí)用性。由于FFT后頻域信號(hào)的幅值差別較大，難以研究，因此本文...

2012-02-10

開關(guān)電源 MOSFET 漏源極電壓電磁干擾

增強(qiáng)繼電器性能以及可靠性的設(shè)計(jì)方案

隨著繼電器技術(shù)的發(fā)展及繼電器應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大，對(duì)繼電器的性能、壽命、可靠性等方面的要求越來越高。在壽命試驗(yàn)的基礎(chǔ)上，本文提出了加大應(yīng)力、縮短時(shí)間的加速壽命試驗(yàn)方法。

2012-02-10

繼電器電磁繼電器

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