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電源管理

Vishay 擴(kuò)充用于功率電子的重載電容器

Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴(kuò)充其用于功率電子的重載Vishay ESTA HDMKP電容器，增添新容值和新封裝形式。

2012-02-22

功率電子重載電容器交流濾波 HDMKP電容器

IMF：TE推出用于零瓦電路的靈敏雙穩(wěn)態(tài)小尺寸繼電器

TE Connectivity 公司推出用于零瓦電路的IMF繼電器。如果沒(méi)有像移動(dòng)手機(jī)連接器之類的終端設(shè)備，零瓦充電器就會(huì)停止從電網(wǎng)中取電， TE的IMF是專為這樣的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，其設(shè)計(jì)是對(duì)現(xiàn)有AXICOM IM繼電器產(chǎn)品線的補(bǔ)充。

2012-02-22

IMF TE 零瓦電路繼電器

拓展串聯(lián)疊加高壓變頻器應(yīng)用領(lǐng)域的研究

眾所周知，高壓大功率風(fēng)機(jī)、水泵采用變頻調(diào)速的方法，在方便的調(diào)整工況的同時(shí)，還可以收到顯著的節(jié)能效果，其直接經(jīng)濟(jì)效益很明顯，宏觀經(jīng)濟(jì)效益及社會(huì)效益則更加巨大。

2012-02-22

串聯(lián)疊加高壓變頻器機(jī)電設(shè)備

高頻MOS驅(qū)動(dòng)電路仿真波形實(shí)驗(yàn)波

開(kāi)關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點(diǎn),應(yīng)用已越來(lái)越普及。MOSFET由于開(kāi)關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動(dòng)功率低等優(yōu)點(diǎn)已成為開(kāi)關(guān)電源最常用的功率開(kāi)關(guān)器件之一。而驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接影響開(kāi)關(guān)電源工作的可靠性及性能指標(biāo)。

2012-02-22

高頻 MOSt 驅(qū)動(dòng)電路仿真波形

電動(dòng)汽車(chē)電池管理系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)技術(shù)

鋰電池具有高電池單體電壓、高比能量和高能量密度，是當(dāng)前比能量最高的電池。但正是因?yàn)殇囯姵氐哪芰棵芏缺容^高，當(dāng)發(fā)生誤用或?yàn)E用時(shí)，將會(huì)引起安全事故。而電池管理系統(tǒng)能夠解決這一問(wèn)題。當(dāng)電池處在充電過(guò)壓或者是放電欠壓的情況下，管理系統(tǒng)能夠自動(dòng)切斷充放電回路，其電量均衡的功能能夠保證單...

2012-02-21

電動(dòng)汽車(chē) 電池管理鋰離子電池電量測(cè)量

常見(jiàn)軟起動(dòng)器的優(yōu)缺點(diǎn)及應(yīng)用比較

由于旁路運(yùn)行軟起動(dòng)器的替代性，使得軟起動(dòng)器在工程應(yīng)用中得到了普及。本文比較三種軟起動(dòng)器：在線型、旁路型、內(nèi)置旁路型的優(yōu)缺點(diǎn)及應(yīng)用，發(fā)現(xiàn)在線型軟起動(dòng)器應(yīng)該被旁路型軟起動(dòng)器所淘汰，而旁路型軟起動(dòng)器又應(yīng)該被內(nèi)置旁路型軟起動(dòng)器所淘汰。

2012-02-21

軟起動(dòng)器晶閘管在線運(yùn)行軟起動(dòng)器旁路型軟起動(dòng)器內(nèi)置旁路型軟起動(dòng)器

高壓變頻器的散熱與通風(fēng)設(shè)計(jì)

高壓變頻器在正常工作時(shí)，熱量來(lái)源主要是隔離變壓器、電抗器、功率單元、控制系統(tǒng)等，其中作為主電路電子開(kāi)關(guān)的功率器件的散熱、功率單元的散熱設(shè)計(jì)、及功率柜的散熱與通風(fēng)設(shè)計(jì)最為重要。

2012-02-21

高壓變頻器散熱通風(fēng)

STGIPN3H60/A：ST推出小尺寸低干擾SLLIMM微型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體，擴(kuò)大SLLIMM(低損耗智能微型模壓模塊)產(chǎn)品系列，推出兩款新的能夠提高家電能效等級(jí)的微型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊——STGIPN3H60和STGIPN3H60A。

2012-02-21

STGIPN3H60 STGIPN3H60A ST SLLIMM 微型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊

Si8497DB/Si8487DB：Vishay推出小尺寸低導(dǎo)通電阻MOSFET

Vishay宣布引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業(yè)內(nèi)首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片級(jí)MOSFET，是目前市場(chǎng)上尺寸最小的此類器件；而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸...

2012-02-21

Si8497DB Si8487DB Vishay MOSFET

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Vishay 擴(kuò)充用于功率電子的重載電容器

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高頻MOS驅(qū)動(dòng)電路仿真波形實(shí)驗(yàn)波

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