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電源管理

基于Teseo II芯片的汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體（ST）的Teseo II導(dǎo)航芯片是針對(duì)多衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的單芯片IC系列(STA8088)，該芯片的一系列參考設(shè)計(jì)中使用了EPCOS（愛(ài)普科斯）與TDK元件，十分適用于汽車(chē)與消費(fèi)電子產(chǎn)品。

2013-05-28

汽車(chē) 導(dǎo)航 Teseo II 芯片

Fairchild新型車(chē)用功率模塊高集成度降低系統(tǒng)成本

近日，F(xiàn)airchild開(kāi)發(fā)出車(chē)用三相變速逆變器功率模塊FTC03V455A1，該功率模塊允許更高的扭矩系統(tǒng)，節(jié)省燃料及降低 CO2排放量，可幫助設(shè)計(jì)人員縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間，提高可靠性，簡(jiǎn)化高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

2013-05-24

Fairchild 汽車(chē) 功率模塊 FTC03V455A1

半月談：探究光伏發(fā)電深入解析逆變技術(shù)

盡管近年來(lái)光伏行業(yè)形勢(shì)不容樂(lè)觀，但有預(yù)測(cè)顯示，到2015年，光伏組件、逆變器營(yíng)收將出現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。因此，光伏發(fā)電逆變技術(shù)前景十分看好。本文將主要針對(duì)高壓、大容量逆變器的關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行講解，并分析該如何正確地為光伏逆變器應(yīng)用選擇IGBT。

2013-05-22

逆變器逆變技術(shù) 光伏發(fā)電太陽(yáng)能 IGBT

最新的混合動(dòng)力汽車(chē)鋰電池主動(dòng)平衡快速充電技術(shù)

設(shè)計(jì)新思路:高效中頻熔斷電源設(shè)計(jì)

廣大工程師都有這樣一個(gè)困擾，常規(guī)晶閘管并聯(lián)諧振中頻電源存在的在熔煉期內(nèi)輸出功率達(dá)不到額定功率，針對(duì)這一問(wèn)題，本文設(shè)計(jì)了一種對(duì)DC/AC逆變器采用調(diào)節(jié)功率角φ的觸發(fā)控制電路，配合原有的AC/DC相控雙閉環(huán)控制電路，可以使中頻熔煉電源實(shí)現(xiàn)高效控制。

2013-05-17

中頻電源晶閘管

新型電源柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

高功率電平帶來(lái)更高的系統(tǒng)電壓，轉(zhuǎn)換器內(nèi)所用各種組件的切斷電壓也更高。單通道UCC27531作為一種小型、非隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，它的高電源/輸出驅(qū)動(dòng)電壓范圍為10到35V，讓其成為12V Si MOSFET應(yīng)用和IGBT/SiC FET應(yīng)用的理想選擇。

2013-05-17

IGBT MOSFET 電源柵極驅(qū)動(dòng)器

孰優(yōu)孰劣:氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管VS硅功率器件?

工程師常常認(rèn)為當(dāng)應(yīng)用需要更高電壓時(shí)，使用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)在性能方面才更具優(yōu)勢(shì)。但是，如果只是考慮開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù)，相比先進(jìn)的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的優(yōu)勢(shì)好像減弱了。GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管與硅功率器件中低壓降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的性能到底怎樣？且聽(tīng)本文細(xì)細(xì)分解。

2013-05-16

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅功率器件

Vicor零電壓DCDC轉(zhuǎn)換器挑戰(zhàn)環(huán)境嚴(yán)苛、空間受限應(yīng)用

Vicor擴(kuò)展Picor旗下的隔離式Cool-Power ZVS DC-DC轉(zhuǎn)換器，提供高密度 (334 W/in3) 方案。該轉(zhuǎn)換器連接QuietPower有原EMI濾波器, 將進(jìn)一步提升整個(gè)的模塊式方案的性能,適合嚴(yán)苛的，空間受限的工業(yè)和航空、國(guó)防應(yīng)用。

2013-05-15

轉(zhuǎn)換器電源濾波器 Vicor

硅功率MOSFET前景堪憂？

30年前硅功率MOSFET的出現(xiàn)使市場(chǎng)快速接受開(kāi)關(guān)電源，硅功率MOSFET成為很多應(yīng)用的必選功率器件。近些年來(lái)，MOSFET不可避免地進(jìn)入到性能瓶頸期；然而與此同時(shí)，增強(qiáng)型GaN HEMT器件在開(kāi)關(guān)性能和整個(gè)器件帶寬有突破性改善，迅速占領(lǐng)市場(chǎng)。硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的發(fā)展已經(jīng)走到盡頭了嗎？

2013-05-15

MOSFET 電源轉(zhuǎn)換 GaN

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