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電源管理

一文掌握 GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置！

在設(shè)計(jì)開關(guān)模式電源時(shí)，主要品質(zhì)因數(shù)（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個(gè)FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關(guān)頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會(huì)增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關(guān)損耗。由于GaN的寄生電容低且沒(méi)有二極管反向恢復(fù)，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著...

2020-08-07

GaN器件開關(guān)模式降低損耗

功能豐富的系統(tǒng)需要采用靈活、可配置的20V大電流PMIC

隨著技術(shù)不斷進(jìn)步，所有電子系統(tǒng)中包含的功能內(nèi)容數(shù)量不斷增多，可用空間卻在不斷減少。手機(jī)有觸摸屏、手電筒、省電模式和精巧的攝像頭。以前汽車儀表盤上只有基本的AM收音機(jī)和少量簡(jiǎn)易的儀表，現(xiàn)在卻裝滿了精密的儀器儀表、衛(wèi)星收音機(jī)、藍(lán)牙?、GPS和其他基于手機(jī)的網(wǎng)絡(luò)連接、多彩車燈以及無(wú)數(shù)的USB...

2020-08-07

系統(tǒng) 靈活大電流PMIC

阻礙電源設(shè)計(jì)成功的因素有哪些？

PCB設(shè)計(jì)能“一次成功”已成為電子行業(yè)最強(qiáng)烈的訴求。以電源產(chǎn)品為例，PCB設(shè)計(jì)會(huì)直接影響電源的EMC性能、輸出噪聲、抗干擾能力，甚至是基本功能。更為重要的是，PCB設(shè)計(jì)成功與否直接影響著產(chǎn)品的上市時(shí)間。

2020-08-06

電源設(shè)計(jì)

GaN將能源效率推升至新高度！

勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(Lawrence Berkeley National Laboratory)[1]在2016年所做的一項(xiàng)研究表明，2020年美國(guó)數(shù)據(jù)中心將要消耗的能源預(yù)計(jì)會(huì)達(dá)到730億千瓦時(shí)——這是一個(gè)天文數(shù)字。只要我們對(duì)計(jì)算密集型數(shù)據(jù)服務(wù)的需求不斷增加，那么，在更小的空間內(nèi)提供更多能量以盡可能高效地運(yùn)行這些中心，就會(huì)是必...

2020-08-06

GaN 能源效率

LDO在IoT中省電的兩種方法

隨著物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 不斷占領(lǐng)于我們的住宅和辦公場(chǎng)所，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)越來(lái)越多的電器和系統(tǒng)集成了電子元器件，而且我們能夠在世界上的任何一個(gè)角落訪問(wèn)這些電器和系統(tǒng)。不過(guò)，由于有如此之多的設(shè)備被連接到我們的住宅和辦公室，我們消耗了難以計(jì)數(shù)的待機(jī)電能。我們?cè)鯓硬拍苁购銣仄?、大門、門鈴、安防系統(tǒng)...

2020-08-06

LDO IoT 省電方法

如何設(shè)計(jì)一款安靜且緊湊的工業(yè)用電源

工業(yè)用電源設(shè)計(jì)工程師們面臨著眾多供電挑戰(zhàn)；其中一個(gè)主要難題就是輸入電壓范圍的大幅變化。其中的原因有很多，其中就包括設(shè)計(jì)對(duì)遠(yuǎn)距離的支持。例如，工廠會(huì)有一條在整個(gè)建筑內(nèi)進(jìn)行傳輸?shù)闹麟妷很墶Ｓ捎谧杩?、以及感?yīng)電壓和連接至電源不同位置的設(shè)備所導(dǎo)致的噪聲，或者大型電感和電容元件所引起的...

2020-08-06

工業(yè)用電源噪聲重度負(fù)載

不加組件也不漲尺寸，教你如何改善你的無(wú)線充電器！

小尺寸可穿戴設(shè)備越來(lái)越多地采用無(wú)線充電，因?yàn)檫@樣無(wú)需使用充電線，在設(shè)備上也無(wú)需配備外露式接口。對(duì)于充電電流小于10 mA的應(yīng)用，由于功耗很低，因此無(wú)需在無(wú)線充電器接收器和發(fā)射器之間實(shí)施閉環(huán)控制。

2020-08-05

無(wú)線充電器可穿戴設(shè)備

可提高碳化硅MOSFET可靠性的東芝新器件結(jié)構(gòu)問(wèn)世

東京——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（簡(jiǎn)稱“東芝”）今日宣布了一種可提高碳化硅（SiC）MOSFET[1]可靠性的新器件結(jié)構(gòu)問(wèn)世。相較于東芝的典型器件結(jié)構(gòu)，MOSFET內(nèi)嵌的肖特基勢(shì)壘二極管[2]（SBD）可在抑制導(dǎo)通電阻增大的同時(shí)，將器件結(jié)構(gòu)的可靠性提高10倍以上[3]。

2020-08-05

碳化硅 MOSFET 可靠性東芝新器件結(jié)構(gòu)

新型功率開關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器不斷變化的格局

基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。更高的開關(guān)頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本 ...

2020-08-04

功率開關(guān)技術(shù) 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器格局

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