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電源管理

PMEG系列：恩智浦FlatPower封裝MEGA Schottky整流器

恩智浦半導(dǎo)體近日宣布推出全新FlatPower封裝的MEGA Schottky整流器，包括SOD123W和SOD128。因?yàn)?金屬板綁定"的封裝成果，新的MEGA產(chǎn)品帶來(lái)可媲美標(biāo)準(zhǔn)SMA封裝的高功率性能。新產(chǎn)品以其卓越的前向壓降，可以允許50A的峰值電流和高至1W的Ptot功率耗散。

2008-10-10

MEGA Schottky整流器 PMEG2010ER PMEG3010ER PMEG4010ER

光纖活動(dòng)連接器等產(chǎn)品新認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)獲批準(zhǔn)

日前，國(guó)家認(rèn)可委員會(huì)認(rèn)可了針對(duì)光纖活動(dòng)連接器、漏泄同軸電纜、地下通信管道用塑料管等多種產(chǎn)品的新認(rèn)證規(guī)則。據(jù)新認(rèn)證規(guī)則的起草單位工信部電信研究院泰爾認(rèn)證中心主任袁和國(guó)介紹，按照有關(guān)要求，原獲證企業(yè)在下次監(jiān)督之前必須滿足新標(biāo)準(zhǔn)要求，泰爾認(rèn)證中心下次監(jiān)督將按新標(biāo)準(zhǔn)要求進(jìn)行并增加差異...

2008-10-09

光纖活動(dòng)連接器漏泄同軸電纜測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

估算電感在開(kāi)關(guān)電源中的功耗

開(kāi)關(guān)電源的功耗是多方面的，包括功率MOSFET損耗、輸入/輸出電容損耗、控制器靜態(tài)功耗以及電感損耗。本文主要討論電感損耗。眾所周知，電感損耗包括兩方面：其一是與磁芯相關(guān)的損耗，即傳統(tǒng)的鐵損；其二是與電感繞組相關(guān)的損耗，即通常所謂的銅損。本文介紹用估算的方法計(jì)算電感在開(kāi)關(guān)電源中的功耗。

2008-10-09

功率電感 RDC 趨膚現(xiàn)象滲透深度

功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供了車(chē)載照明保護(hù)與控制

高壓側(cè)前置場(chǎng) FET 驅(qū)動(dòng)器和功率 FET 組合被廣泛地用于負(fù)載控制，這種組合還可能被應(yīng)用于那些要求通過(guò)串行總線通信或者并行輸入控制來(lái)實(shí)現(xiàn)負(fù)載控制的工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用中。將每一個(gè)功率 FET 與熱相互作用隔離的這種能力，在那些單通道短路或者熱關(guān)閉故障不會(huì)中斷其它負(fù)載控制通道功能的情況下是非常有好...

2008-10-09

車(chē)載照明 FET 螺線管負(fù)載浪涌電流

電源對(duì)移動(dòng)電話開(kāi)關(guān)頻譜的影響

隨著移動(dòng)電話市場(chǎng)的發(fā)展，移動(dòng)電話已經(jīng)成為目前國(guó)內(nèi)電子制造業(yè)最大的熱點(diǎn)。移動(dòng)電話是一個(gè)包含數(shù)字信號(hào)和模擬信號(hào)的復(fù)雜系統(tǒng)，在移動(dòng)電話的設(shè)計(jì)調(diào)試和批量生產(chǎn)中，會(huì)碰到各種各樣技術(shù)問(wèn)題。其中常見(jiàn)的問(wèn)題之一是移動(dòng)電話的開(kāi)關(guān)頻譜不能滿足ETSI標(biāo)準(zhǔn)的要求。在實(shí)際工作中，發(fā)現(xiàn)移動(dòng)電話使用的電源直...

2008-10-09

電源移動(dòng)電話開(kāi)關(guān)頻譜ETSI

超級(jí)電容提高移動(dòng)電話的音頻質(zhì)量和電源性能

超級(jí)電容填補(bǔ)了電池和普通電容之間的功率空隙，它能提供比電池更高的觸發(fā)功率，并能比普通電容存儲(chǔ)更多的能量。超級(jí)電容可以為峰值功率事件提供所需的觸發(fā)功率，然后接受電池的再充電。其好處包括延長(zhǎng)通話時(shí)間、延長(zhǎng)電池壽命、閃光更亮以及音樂(lè)質(zhì)量更佳。設(shè)計(jì)師還可以藉此節(jié)省空間和成本，因?yàn)樗麄?..

2008-10-09

超級(jí)電容失真音樂(lè)手機(jī) 功率

DC-DC變換器的輸入系統(tǒng)不穩(wěn)定性

目前，許多大型電子設(shè)備都趨向于采用直流分布式供電結(jié)構(gòu)，通過(guò)直流總線給多個(gè)DC-DC變換器進(jìn)行供電，而變換器的輸出則直接供給各個(gè)負(fù)載。但是，利用DC-DC變換器來(lái)構(gòu)建分布式供電系統(tǒng)有一些關(guān)鍵問(wèn)題需要解決，如輸入系統(tǒng)不穩(wěn)定性問(wèn)題。如果措施不當(dāng)，將損壞變換器甚至負(fù)載，造成巨大損失。

2008-10-09

分布式供電系統(tǒng) DC-DC變換器輸入系統(tǒng)不穩(wěn)定性 ESR

納米鋰電池技術(shù)剖析

可攜式電子產(chǎn)品對(duì)電池輕、薄、短、小與高容量的需求越來(lái)越高，而先進(jìn)的納米科技在此一趨勢(shì)下扮演了重要角色，採(cǎi)用納米材料的鋰電池技術(shù)可達(dá)到高容量、高功率、高安全性的效果，在未來(lái)的市場(chǎng)應(yīng)用上具備深厚潛力；本文將介紹目前納米級(jí)鋰電池材料與納米級(jí)鋰電池應(yīng)用之開(kāi)發(fā)進(jìn)展現(xiàn)況，為讀者深入剖析此...

2008-10-09

納米科技鋰電池負(fù)極材料 3G

MOSFET的開(kāi)關(guān)速度將決定未來(lái)POL電源的性能

一個(gè)采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達(dá)2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿足負(fù)載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。

2008-10-09

MOSFET DirectFET VRM 整流器

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PMEG系列：恩智浦FlatPower封裝MEGA Schottky整流器

光纖活動(dòng)連接器等產(chǎn)品新認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)獲批準(zhǔn)

估算電感在開(kāi)關(guān)電源中的功耗

功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供了車(chē)載照明保護(hù)與控制

電源對(duì)移動(dòng)電話開(kāi)關(guān)頻譜的影響

超級(jí)電容提高移動(dòng)電話的音頻質(zhì)量和電源性能

DC-DC變換器的輸入系統(tǒng)不穩(wěn)定性

納米鋰電池技術(shù)剖析

MOSFET的開(kāi)關(guān)速度將決定未來(lái)POL電源的性能

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