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電源管理

將IGBT 用于不間斷電源中

本文介紹了絕緣柵雙極晶體管（IGBT）在不間斷電源系統(tǒng)中的應用情況，分析了IGBT 在UPS 中損壞的主要原因和實際應用中應注意的問題。

2008-12-15

絕緣柵雙極型晶體管不間斷電源系統(tǒng) 在線式不間斷電源 IGBT UPS

風華半導體分立器件獲得“廣東省名牌產(chǎn)品”稱號

近期，風華高科半導體分立器件繼本年初獲得采用國際先進標準認可標志和證書后，又被評為2008年“廣東省名牌產(chǎn)品”。在廣東省名牌戰(zhàn)略推進委員會公告的“半導體分立器件”產(chǎn)品評選類別中，風華高科是唯一一家獲此殊榮的企業(yè)。

2008-12-15

半導體分立器件廣東省名牌產(chǎn)品

微特電機從生產(chǎn)大國向技術強國邁進

我國已成為微特電機生產(chǎn)和出口大國，產(chǎn)品基本覆蓋了所有零部件和主要材料；當前，我國微特電機行業(yè)應該加速產(chǎn)業(yè)結構調(diào)整，加速由“大”到“強”的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)變。

2008-12-15

微特電機錄音機玩具產(chǎn)業(yè)調(diào)整

分立半導體器件老市場新機遇

分立器件是電子工業(yè)的支撐產(chǎn)業(yè)，是電子工業(yè)發(fā)展的基礎。器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展的快慢不僅直接影響整個電子工業(yè)的發(fā)展，而且對發(fā)展信息技術，改造傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，提高技術裝備水平，促進社會科技進步都有重要意義。近年來國際半導體制造業(yè)向中國大陸的快速轉(zhuǎn)移,中國已成為全球最具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽w制造基地和繁榮的...

2008-12-15

消費電子通信技術汽車電子分立器件

SiB800EDK：Vishay新款超小MOSFET＋SBD器件

日前，Vishay宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強型 PowerPAK SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其在 100 mA 時具有 0.32V 低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至 1.5V 柵極驅(qū)動時規(guī)定的額定導通電阻的 MOSFET 進...

2008-12-15

SiB800EDK 便攜式電子設備 MOSFET 肖特基二極管

45所：太陽能光伏設備生力軍

面對全球金融危機，45所利用市場淡季加緊修煉內(nèi)功，進行產(chǎn)品技術升級和換代，提高設備技術附加值，積極開發(fā)新品應對市場調(diào)整的需求。

2008-12-12

微電子、半導體照明 LED 太陽能光伏分立器件光學元件特種材料

三菱化學將優(yōu)先投資白色LED及車載鋰電池材料

三菱化學2008年12月9日召開了經(jīng)營方針說明會，宣布今后將優(yōu)先投資白色LED及車載鋰離子充電電池材料兩大領域。該公司08年5月便發(fā)布了中期經(jīng)營計劃，受最近經(jīng)營環(huán)境惡化的影響，此次又推出了追加措施等。

2008-12-12

LED 鋰離子充電電池照明器具液晶電視背照燈

SiP4613A/B ：Vishay新型高端負載開關器件

日前，Vishay推出一款新型有保護的高端負載開關-- SiP4613A/B。隨著該型器件的面世，Vishay進一步擴充了其電流限制保護負載開關系列。該器件可在 2.4V～5.5V 的電源電壓范圍內(nèi)運行，并可處理 1A 的持續(xù)輸出電流。

2008-12-11

負載開關 SiP4613A/B 電源管理電流限制開關

B25836B*A305：愛普科斯最新堅固型PFC電容器

愛普科斯已經(jīng)開發(fā)出了結構堅固的新系列PFC電容器。該產(chǎn)品基于MKV技術，其特點是耐高溫和工作壽命長?？商峁┕ぷ黝l率為50/60 Hz時電壓為400-800V的B25836B*A305系列電容器。它們的無功功率范圍是5-30 kvar。沖擊電流可達額定電流的500倍，過電流承受能力是額定電流的3倍。

2008-12-08

PFC電容器電容器

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