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飛兆、英飛凌擴(kuò)展功率MOSFET封裝兼容協(xié)議

發(fā)布時(shí)間:2012-02-16

新聞事件:

  • 飛兆、英飛凌擴(kuò)展功率MOSFET封裝兼容協(xié)議

事件影響:

  • PowerTrench技術(shù)得到進(jìn)一步鞏固
  • 客戶可采用多來源的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝來提供性能領(lǐng)先的產(chǎn)品


全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布,兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系,擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。

飛兆半導(dǎo)體PowerTrench非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET模塊是飛兆半導(dǎo)體全面廣泛的先進(jìn)MOSFET產(chǎn)品系列的組成部分,為電源設(shè)計(jì)人員提供了適用于關(guān)鍵任務(wù)的高效信息處理設(shè)計(jì)的全面解決方案。

這一兼容協(xié)議是兩家公司在2010年達(dá)成的協(xié)議的擴(kuò)展,旨在為客戶保證供貨穩(wěn)定性,同時(shí)滿足對(duì)同級(jí)最佳的DC/DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項(xiàng)協(xié)議利用了兩家企業(yè)的非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET專業(yè)技術(shù),以處理30A以上應(yīng)用并增加功率密度。

飛兆半導(dǎo)體消費(fèi)、通信和工業(yè)低壓產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Joe Montalbo表示:“我們非常高興與英飛凌科技公司合作,進(jìn)一步鞏固PowerTrench技術(shù)。這一合作配合使用標(biāo)準(zhǔn)化的封裝引腳,將幫助提升該產(chǎn)品線的價(jià)值并提高其對(duì)客戶的吸引力。”

英飛凌科技低壓功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品高級(jí)主管Richard Kuncic稱:“飛兆半導(dǎo)體和英飛凌實(shí)現(xiàn)了封裝引腳的標(biāo)準(zhǔn)化,為計(jì)算、電信及服務(wù)器市場(chǎng)的客戶提供了滿足高效設(shè)計(jì)需求的穩(wěn)定供應(yīng)鏈。通過封裝統(tǒng)一,客戶可以采用多來源的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝來提供性能領(lǐng)先的產(chǎn)品。”

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