產(chǎn)品特性：
- 總閘電荷分別降低了高達59%和33%
- 達到工業(yè)級別及第一級濕度感應度
- 采用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封裝
- 開關模式電源 、不斷電系統(tǒng)、反相器和DC馬達驅(qū)動器等
日前，國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關模式電源 （SMPS） 、不斷電系統(tǒng) （UPS）、反相器和DC馬達驅(qū)動器等工業(yè)應用提供極低的閘電荷 （Qg）。
與其它競爭器件相比，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達59%。至于新款200V MOSFET的閘電荷，則比競爭器件的降低了多達33%。
IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“隨著DC-DC功率轉(zhuǎn)換應用技術的日益進步，開關頻率也有所提高，輸入電容和閘電荷在整體效率方面擔當起重要的角色。開關損耗的多少對快速開關電路來說是關鍵的問題。IR新推出的150V和200V MOSFET正好針對這個挑戰(zhàn)做出了優(yōu)化，所以非常適合作為通信應用中隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的主要開關，或者在任何先進的DC-DC應用中推動輕負載效率。”
這些新款MOSFET達到工業(yè)級別及第一級濕度感應度 （MSL1） 。它們采用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封裝，皆為無鉛設計，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 （RoHS） 指令。
產(chǎn)品的基本規(guī)格：
