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PSMN1R2-25YL:恩智浦推出Power SO8封裝低于1毫歐RDSon的MOSFET

發(fā)布時間:2009-07-16

產(chǎn)品特點:

  • N通道、1毫歐以下導(dǎo)通電阻RDSon

應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 電源OR-ring、電機控制和高效同步降壓器

恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors,由飛利浦創(chuàng)立的獨立半導(dǎo)體公司)宣布推出首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品,型號為PSMN1R2-25YL,它擁有最低的導(dǎo)通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無損耗封裝:LFPAK)中擁有最低導(dǎo)通電阻RDSon的MOSFET,也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體,可在各種嚴(yán)苛應(yīng)用條件下提供諸多性能及可靠性優(yōu)勢,如電源OR-ring、電機控制和高效同步降壓器等。 

恩智浦資深國際市場產(chǎn)品經(jīng)理John David Hughes先生表示:“在MOSFET制造技術(shù)領(lǐng)域,改善性能是一場曠日持久的競賽。我們在新Trench 6工藝中采用創(chuàng)新技術(shù),進一步減小了導(dǎo)通電阻。對客戶而言,這一新的Trench技術(shù)為他們帶來許多優(yōu)勢,例如:提高的硅技術(shù)開關(guān)效率、出色的電阻和熱阻封裝性能。恩智浦Power-S08 (LFPAK) 封裝與廣為使用的Power SO-8 PCB封裝相兼容。”

恩智浦Trench 6 MOSFET PSMN1R2–25YL,采用Power-S08 (LFPAK)封裝時25 V MOSFET的RDSon是0.9毫歐(典型值),30 V MOSFET的RDSon達到1.0毫歐(典型值)。 

除了全球最低RDSon MOSFET之外,恩智浦還宣布推出面向電源、電機控制和工業(yè)市場的新產(chǎn)品系列。該系列產(chǎn)品的工作電壓為25 V、30 V、40 V和80 V,采用Power-S08 (LFPAK)和TO220封裝。

上市時間:

PSMN1R2–25YL現(xiàn)已上市

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