產(chǎn)品特性：
- 用于這些封裝的MOSFET均具有低柵電荷
- 在 1.8V VGS下的典型R DS(ON)為86毫歐，以確保開(kāi)關(guān)及導(dǎo)通損耗最小
- SBR的功率損耗遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)肖特基二極管
應(yīng)用范圍：
- 用于傳統(tǒng)便攜式應(yīng)用設(shè)計(jì)
Diodes公司應(yīng)用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術(shù),推出便攜式充電設(shè)備的開(kāi)關(guān)。
Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場(chǎng)總監(jiān)梁后權(quán)先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個(gè)20V的P溝道增強(qiáng)模式MOSFET與一個(gè)配套二極管組合封裝，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020兩種封裝以供選擇。DMP2160UFDB則把兩個(gè)相同的MOSFET組合封裝成DFN2020形式。
與傳統(tǒng)便攜式應(yīng)用設(shè)計(jì)中常用的體積較大的3mm x 3mm封裝相比，DFN2020節(jié)省了55%的PCB空間；僅0.5mm的板外高度，也比傳統(tǒng)封裝薄了50%，符合下一代產(chǎn)品設(shè)計(jì)的要求。用于這些封裝的MOSFET均具有低柵電荷，在 1.8V VGS下的典型R DS(ON)為86毫歐，以確保開(kāi)關(guān)及導(dǎo)通損耗最小。
為了進(jìn)一步提升效率，應(yīng)用于這些封裝的二極管是Diodes自己的高性能超勢(shì)壘整流器 (SBR)。憑借其僅有0.42V的典型低正向壓降，SBR的功率損耗遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)肖特基二極管。
