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醫(yī)療穿戴

功率半導體：強化設計能力尋求中高端突破

功率半導體包括功率二極管、功率開關(guān)器件與功率集成電路。近年來，隨著功率MOS(金屬氧化物半導體)技術(shù)的迅速發(fā)展，功率半導體的應用范圍已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制領(lǐng)域擴展到4C領(lǐng)域(計算機、通信、消費類電子產(chǎn)品和汽車電子)，滲透到國民經(jīng)濟與國防建設的各個方面。我國擁有國際上最大的功率半導體市場，擁...

2009-12-25

功率器件開關(guān) 功率二極管高端

GP2AP012A00F:夏普開發(fā)出集成有可檢測0.1lx低照度的照度傳感器

夏普將上市集成了照度傳感器的新款近接傳感器“GP2AP012A00F”。主要特點是可檢測0.1lx的低照度，外形尺寸僅為4.4mm×2.6mm×1.0mm。該公司此前產(chǎn)品可檢測的照度為3lx，外形尺寸為5.6mm×2.1mm×1.2mm。

2009-12-25

夏普集成低照度照度傳感器

傳感器儀表元器件發(fā)展分析

傳感器和儀表元器件是儀器儀表與自動化系統(tǒng)最基礎(chǔ)元器件之一。傳感器和儀表元器件具有服務面廣、品種繁多、需求量大等特點，其技術(shù)水平和產(chǎn)品質(zhì)量的提高，將為我國制造業(yè)信息化奠定基礎(chǔ)。

2009-12-24

傳感器儀表元器件 MEMS

2009年歲末電子產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)回顧與2010年展望

2008年下半年，國際金融風暴席卷全球，以出口為主導的中國大陸電子信息產(chǎn)業(yè)直接受到?jīng)_擊，產(chǎn)品進出口受阻，導致產(chǎn)品產(chǎn)量不斷下降，到今年元月份下降到谷底。由于中國政府及時實行積極的財政政策，調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，努力擴大內(nèi)需，電子信息產(chǎn)業(yè)從2月份開始逐漸回升。雖然在個別月份有所波動，但回升趨勢...

2009-12-24

電子產(chǎn)業(yè) 數(shù)據(jù) 回顧展望

醫(yī)療電子：超低功耗方案助力便攜醫(yī)療電子應用

在新醫(yī)改方案中，中國政府計劃在2009年-2011年的3年間投入8500億元，用于基層醫(yī)療衛(wèi)生服務體系、基本公共衛(wèi)生服務逐步均等化等五項重點改革。而且，新醫(yī)改將成為中國便攜醫(yī)療電子市場快速增長的催化劑。以電子血壓計、血氧儀、心電監(jiān)護儀等為代表的家用便攜醫(yī)療電子產(chǎn)品已經(jīng)成為人們?nèi)粘＝】当O(jiān)測的...

2009-12-24

醫(yī)療電子恩智蒲醫(yī)改低功耗方案

Toshiba-components推出低導通電阻快速轉(zhuǎn)換的30V MOSFET

新產(chǎn)品包括5個N溝道MOSFET和1個MOSBD，MOSBD的單芯片組合了MOSFET和肖特基阻擋二極管，提供了低電感結(jié)構(gòu)，因此提高了能源效率。該產(chǎn)品提供了一系列的特性，使設計人員能夠滿足不同的系統(tǒng)要求。額定電流范圍為13A~26A，RDS(ON) (典型值)為4.3~12.2毫歐(mΩ)，輸入電容從999~2200微微法（pF）（典型值...

2009-12-24

東芝低導通電阻快速轉(zhuǎn)換 MOSFET

Gartner：全球半導體設備將增長45%

據(jù)國外媒體報道，Gartner研究副總Dean Freeman指出，晶圓代工支出與少數(shù)內(nèi)存廠商的選擇性支出，帶動了2009下半年半導體設備市場的增長，2010年的增長主要將由上半年技術(shù)升級的帶動，2010年第3季單季增長率在產(chǎn)能增加前將微幅下滑，整體資本設備產(chǎn)業(yè)預期自2010年底起將一路大幅增長至2011年。

2009-12-24

Gartner 全球半導體增長

美國科學家研發(fā)出一種新型光纖傳感器

美國科學家研發(fā)出一種可以在極端條件下使用的新型光學壓力傳感器。這種光纖傳感器不但可以測量高達1800萬帕(2620磅/平方英寸)的壓力，將感測頭放進-196°C的液態(tài)氮中或者加熱到538°C，性能也不會有明顯改變

2009-12-24

美國科學家新型光纖傳感器

快速檢測癌癥的納米傳感器，神奇吧！

美國科研人員日前研發(fā)出一種可快速檢測癌癥的納米傳感器，這種儀器能在更短時間內(nèi)發(fā)現(xiàn)癌癥的早期跡象，從而為治療爭取更多時間。

2009-12-23

納米傳感器癌癥醫(yī)療電子

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