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能源電力

日立展出1.9mm見方的LSI集成型壓力傳感器

日立制作所展出了芯片尺寸為1.9mm見方的LSI集成型壓力傳感器。是利用LSI制造工藝把壓力傳感器制造到LSI上形成的，與該公司此前發(fā)布的3.4mm見方的試制品相比，體積大幅縮小。

2009-02-26

壓力傳感器 LSI集成型壓力傳感器

MEMS振蕩器與傳統(tǒng)石英晶振的比較優(yōu)勢

本文重點(diǎn)介紹了MEMES振蕩器與傳統(tǒng)石英振蕩器的比較優(yōu)勢。

2009-02-25

MEMS振蕩器石英晶振精度 Sitime 供貨周期頻率抖動擴(kuò)頻

STY112N65M5：ST太陽能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET

意法半導(dǎo)體（ST）開發(fā)出了用于配備太陽能電池功率調(diào)節(jié)器的MOSFET。耐壓650V，有最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）的“STY112N65M5”和最大導(dǎo)通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）的“STW77N65M5”。此前，太陽能電池功率調(diào)節(jié)器一直使用IGBT，但由于MOSFET的導(dǎo)通電阻不斷降低，因此MOSFET正逐漸取代IG...

2009-02-25

MOSFET 太陽能電池功率調(diào)節(jié)器 IGBT ST STY112N65M5 STW77N65M5

08年光伏設(shè)備銷售額超44億美元

市場調(diào)研機(jī)構(gòu)VLSI Research日前發(fā)布報(bào)告，2008年光伏電池和組件制造設(shè)備市場（包括薄膜電池設(shè)備）銷售額達(dá)到了44億美元，太陽能產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展并不斷增加新的產(chǎn)能。由于各種薄膜技術(shù)的興起并在2008年第一次進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn)，設(shè)備市場獲得了迅速成長，促使設(shè)備供應(yīng)商也創(chuàng)造了新的收入記錄。

2009-02-25

光伏電池太陽能薄膜電池

希臘通過歐洲最優(yōu)惠的太陽能補(bǔ)助案

希臘于2009年1月15日通過歐洲最優(yōu)惠的太陽能補(bǔ)助案。提案中預(yù)計(jì)將有3GW的龐大裝置量，此補(bǔ)助案一經(jīng)公布，將使希臘在未來三至四年間，成為歐洲最具潛力的太陽能市場之一。

2009-02-24

希臘太陽能

東芝展出近紫外LED 外部量子效率高達(dá)36%

面向新一代照明用LED，東芝展出了正在開發(fā)的近紫外LED。其外部量子效率較高，達(dá)到了36%。發(fā)光波長為380nm。為了提高發(fā)光效率，抑制了GaN結(jié)晶的缺陷，提高了平坦性。

2009-02-23

近紫外LED 量子效率 GaN結(jié)晶

陶顯芳老師談電磁干擾與電磁兼容(五)

本文闡述了電磁干擾和電磁兼容的定義、傳導(dǎo)干擾的定義以及回路電流產(chǎn)生傳導(dǎo)干擾的機(jī)理和抑制方法。

2009-02-23

電磁兼容電磁干擾傳導(dǎo)干擾輻射干擾回路電流

STx42N65M5：ST最新MDmesh V功率MOSFET

意法半導(dǎo)體近日宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh V技術(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻

2009-02-23

ST MOSFET RDS(ON) 節(jié)能導(dǎo)通電阻

聚焦電源模塊

這次半月談聚焦電源模塊，網(wǎng)友積極幫了很多忙。有網(wǎng)友自己的體會、有難得的行業(yè)節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)、有電源模塊選擇方式也有電源模塊市場分析。通過我們的認(rèn)真整理和添加，這些電源模塊好文章又來社區(qū)中間。

2009-02-20

電源模塊開關(guān)電源節(jié)能共建共享

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