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能源電力

SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。

2022-01-17

SiC MOSFET 橋式結(jié)構(gòu)

SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

自舉式懸浮驅(qū)動電路可以極大的簡化驅(qū)動電源的設(shè)計，只需要一路電源就可以驅(qū)動上下橋臂兩個開關(guān)管的驅(qū)動，可以節(jié)省Si MOSFET功率器件方案的成本。隨著新能源受到全球政府的推動與支持，與新能源相關(guān)的半導(dǎo)體芯片需求激増，導(dǎo)致產(chǎn)能緊缺。綠色低碳技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用是實現(xiàn)碳中和目標的重要一環(huán)，碳化硅是應(yīng)...

2022-01-17

SiC MOSFET Si MOSFET 自舉電路

如何才能更易于實施安全性？擴展工業(yè)控制系統(tǒng)中的安全終端！

工業(yè)控制系統(tǒng)(ICS)中的網(wǎng)絡(luò)安全問題勢必延緩工業(yè)4.0的采用。許多企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者發(fā)現(xiàn)ICS網(wǎng)絡(luò)安全挑戰(zhàn)非常難以理解，因為眾多因素導(dǎo)致其非常復(fù)雜。此外，開發(fā)工業(yè)控制系統(tǒng)解決方案的工程師可能尚未看到在設(shè)備層面的重大網(wǎng)絡(luò)安全要求。

2022-01-16

工業(yè)控制系統(tǒng) 安全終端

如何運用升降壓芯片CS5517實現(xiàn)鋰電池穩(wěn)定輸出3.3V/3.6V（1.2-5V）的電壓？

隨著包括無線耳機、健身設(shè)備、智能手表、水表與燃氣表、便攜式醫(yī)療設(shè)備以及各種電池供電的智能物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的爆炸式增長，以鋰電池為電源的應(yīng)用越來越普及。大多數(shù)移動設(shè)備正常工作都需要一定的恒壓電源，以保證系統(tǒng)正常運行。

2022-01-13

升降壓芯片CS5517 鋰電池

狀態(tài)監(jiān)控(CbM)技術(shù)如何以更高能效實現(xiàn)海水淡化

如果我們可以飲用海水，會怎么樣？這將對農(nóng)業(yè)、可持續(xù)發(fā)展和全球生活質(zhì)量產(chǎn)生巨大影響，但對能源的需求同樣也很大。海水淡化技術(shù)非常耗電，且實施起來往往需要花費大量的時間和資源。這項技術(shù)在效率上的任何提升，都相當引入注目?，F(xiàn)在，隨著ADI開發(fā)的OtoSense?平臺，我們突然覺得，提高效率似乎...

2022-01-12

狀態(tài)監(jiān)控技術(shù) ADI

高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進存儲器的路線圖

隨著市場需求推動存儲器技術(shù)向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 (HAR) 刻蝕和極紫外 (EUV) 光刻發(fā)展，泛林集團正在探索未來三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟的成本為晶圓廠提供解決方案。

2022-01-10

高深寬比刻蝕納米級圖形存儲器

雙極結(jié)型晶體管——MOSFET的挑戰(zhàn)者

數(shù)字開關(guān)通常使用MOSFET來創(chuàng)建，但是對于低飽和電壓的開關(guān)模型，雙極結(jié)型晶體管已成為不容忽視的替代方案。對于低電壓和低電流的應(yīng)用，它們不僅可以提供出色的電流放大效果，還具有成本優(yōu)勢。

2022-01-07

雙極結(jié)型晶體管 MOSFET

高壓放大器在頻閃成像技術(shù)MEMS離面運動中的應(yīng)用

MEMS是以微電子技術(shù)為基礎(chǔ)，采用硅微加工技術(shù)、光刻鑄造成型(LIGA)和精密機械加工等多種微加工技術(shù)制作的，關(guān)鍵尺寸在亞微米至亞毫米范圍內(nèi)的微傳感器、微執(zhí)行器和微系統(tǒng)的總稱

2021-12-28

高壓放大器頻閃成像技術(shù) MEMS 離面運動

PLBUS PLC模組助力打造新一代教室智能光照環(huán)境

近年來，近視在青少年人群中的發(fā)病率居高不下。有統(tǒng)計表明，小學(xué)生近視發(fā)病率基本保持在20%-40%之間，初中生近視發(fā)病率基本維持在50%-60%左右，高中生近視的發(fā)病率則可達到70%。造成這一現(xiàn)象的罪魁禍首之一就是青少年長期處于不健康的照明環(huán)境中。

2021-12-28

PLBUS PLC模組教室智能光照

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