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能源電力

紅外熱成像儀對(duì)放大器的芯片結(jié)溫的仿真測(cè)試

隨著 GaN 功率放大器向小型化、大功率發(fā)展，其熱耗不斷增加，散熱問(wèn)題已成為制約功率器件性能提升的重要因素。金剛石熱導(dǎo)率高達(dá) 2000 Ｗ/(m?K)，是一種極具競(jìng)爭(zhēng)力的新型散熱材料，可用作大功率器件的封裝載片。

2022-10-08

紅外熱成像儀放大器芯片結(jié)溫

走向特定領(lǐng)域的EDA

似乎越來(lái)越多的公司正在創(chuàng)建自定義 EDA 工具，但尚不清楚這一趨勢(shì)是否正在加速以及它對(duì)主流EDA行業(yè)意味著什么。

2022-09-30

EDA 芯片

【干貨】強(qiáng)大的4開(kāi)關(guān)升降壓BOB電源，可升可降、能大能小

基于電感器的開(kāi)關(guān)架構(gòu)電源有3中常見(jiàn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，分別是BUCK降壓電源、BOOST升壓電源以及BUCK-BOOST負(fù)壓電源，今天介紹的第4中拓?fù)洹?開(kāi)關(guān)BOB電源，在手機(jī)、汽車、嵌入式等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用，它的基本工作原理是怎樣的呢？有什么優(yōu)勢(shì)呢？

2022-09-27

BOB電源升壓電源負(fù)壓電源

最新的1200V CoolSiC MOSFET中的.XT技術(shù)如何提高器件性能和壽命

采用MEMS技術(shù)制備的全硅法珀傳感器

近年來(lái)，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的發(fā)展，為光纖傳感領(lǐng)域注入新活力，將其與光纖結(jié)合為高靈敏度壓力測(cè)量提供可能。光纖MEMS法珀傳感器具有高一致性、可大批量生產(chǎn)、性能優(yōu)易穩(wěn)定等特點(diǎn)。

2022-09-26

MEMS技術(shù) 全硅法珀傳感器

如果把開(kāi)關(guān)電源的頻率無(wú)限提升..........

估計(jì)很多新手工程師在設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源計(jì)算變壓器時(shí)發(fā)現(xiàn)，把電源的開(kāi)關(guān)頻率提高后變壓器磁芯更加不容易飽和，或者說(shuō)可以用更小的磁性做出同樣功率的電源，甚至在想把開(kāi)關(guān)頻率無(wú)限制提高來(lái)無(wú)限制縮小變壓器的體積。

2022-09-26

開(kāi)關(guān)電源頻率

采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模塊性能解析

半導(dǎo)體市場(chǎng)不斷推動(dòng)IGBT技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高功率密度、魯棒性和性能水平。對(duì)于新一代IGBT而言，始終需要能夠輕松融入設(shè)計(jì)并在不同應(yīng)用中表現(xiàn)良好的產(chǎn)品。IGBT應(yīng)能助力打造出擁有優(yōu)化系統(tǒng)成本的可擴(kuò)展逆變器產(chǎn)品組合。本文通過(guò)仿真和應(yīng)用測(cè)試，對(duì)英飛凌全新TRENCHSTOP? 1700V IGBT7技術(shù)以及對(duì)應(yīng)的同類最佳90...

2022-09-21

IGBT7 模塊性能

TO-247封裝碳化硅MOSFET中引入輔助源極管腳的必要性

功率開(kāi)關(guān)器件（如MOSFET, IGBT）廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、醫(yī)療、交通、消費(fèi)等行業(yè)的電力電子設(shè)備中，直接影響著這些電力電子設(shè)備的成本和效率。因此，實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗和更低的導(dǎo)通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求。

2022-09-15

TO-247封裝 MOSFET 源極管腳

ABB采用IGBT7的新一代高功率密度變頻器ACS180系列

變頻器是各行業(yè)中至關(guān)重要的節(jié)能設(shè)備，ABB傳動(dòng)一直致力于用先進(jìn)的產(chǎn)品和技術(shù)，創(chuàng)新的解決方案為客戶創(chuàng)造價(jià)值，提高生產(chǎn)效能水平，助力變頻器產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

2022-09-14

ABB IGBT7 變頻器

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TO-247封裝碳化硅MOSFET中引入輔助源極管腳的必要性

ABB采用IGBT7的新一代高功率密度變頻器ACS180系列

友情鏈接(QQ：317243736)

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