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電路保護(hù)

談峰值電流控制模式下的次諧波振蕩

相信各位工程師朋友們都遇到過電源不穩(wěn)定的現(xiàn)象，這種現(xiàn)象有可能是原理圖或者PCB設(shè)計(jì)不當(dāng)導(dǎo)致的，也有可能是環(huán)路補(bǔ)償不夠的因素；而由于次諧波振蕩導(dǎo)致的電源不穩(wěn)定現(xiàn)象，大家了解多少？

2022-01-25

峰值電流次諧波振蕩

DC/DC轉(zhuǎn)換器的隔離

除了防止電擊之外，DC/DC轉(zhuǎn)換器的隔離具有許多不同的用途。本文介紹了各種等級的隔離以及在常見的低功耗DC/DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用。

2022-01-21

DC/DC 轉(zhuǎn)換器隔離

如何加快設(shè)計(jì)和調(diào)試速度？具有突破性、可擴(kuò)展、直觀易用的上電時(shí)序系統(tǒng)是關(guān)鍵！

各行各業(yè)的電子系統(tǒng)都變得越來越復(fù)雜，這已經(jīng)不是什么秘密。至于這種復(fù)雜性如何滲透到電源設(shè)計(jì)中，卻不是那么明顯。例如，功能復(fù)雜性一般通過使用ASIC、FPGA和微處理器來解決，在更小的外形尺寸中融入更豐富的應(yīng)用特性。

2022-01-20

上電時(shí)序系統(tǒng)

橋式電路的開關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓

本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關(guān)動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。

2022-01-19

橋式電路開關(guān)

SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路和Turn-on/Turn-off動作

LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對Gate-Source電壓（VGS）帶來的影響時(shí),需要在包括SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路的寄生分量在內(nèi)的等效電路基礎(chǔ)上進(jìn)行考量。

2022-01-17

SiC MOSFET 柵極驅(qū)動電路

SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時(shí)，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個主題的前提。

2022-01-17

SiC MOSFET 橋式結(jié)構(gòu)

聚酰亞胺薄膜應(yīng)用于數(shù)字隔離器

與傳統(tǒng)的光耦合器相比，數(shù)字隔離器在高速、低功耗、高可靠性、小尺寸、高集成度和易用性方面更具優(yōu)勢。數(shù)以十億計(jì)的使用微變壓器的數(shù)字隔離器已廣泛用于許多市場，包括汽車、工業(yè)自動化、醫(yī)療和能源。這些數(shù)字隔離器之所以具有高壓性能，主要原因在于：在堆棧式繞組變壓器的頂部螺旋繞組和底部螺旋...

2022-01-17

聚酰亞胺薄膜數(shù)字隔離器

ADI公司陳寶興博士當(dāng)選IEEE會士

中國，北京—ADI公司技術(shù)院士(Fellow)陳寶興博士憑借其在集成信號-功率隔離和集成磁性元件領(lǐng)域的突破性貢獻(xiàn)，當(dāng)選為2022年度IEEE會士(IEEE Fellow)。IEEE會士是最高等級的IEEE會員，業(yè)界將其視為一項(xiàng)榮譽(yù)稱號，被認(rèn)為是職業(yè)生涯中的重要成就。每一年的當(dāng)選總?cè)藬?shù)不得超過總參與投票人數(shù)的千分之一。

2022-01-14

ADI 陳寶興博士 IEEE

使用集成雙向電流檢測放大器實(shí)現(xiàn)有效的電流監(jiān)控

越來越多的應(yīng)用需要快速準(zhǔn)確地進(jìn)行電流監(jiān)控，包括自動駕駛汽車、工廠自動化和機(jī)器人技術(shù)、通信、服務(wù)器電源管理、D 類音頻放大器和醫(yī)療系統(tǒng)。在許多這樣的應(yīng)用中，都要求進(jìn)行雙向電流檢測，而且需要以很小的成本有效地實(shí)現(xiàn)這一a目的。

2022-01-14

雙向電流檢測放大器電流監(jiān)控

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