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電路保護

為何混合型交流浪涌保護器是浪涌保護首選？

現(xiàn)在的電子設備無處不在且發(fā)展迅速，其越來越敏感的電路在很大程度上依賴前端保護，因為它們要接入電力基礎設施，而這些基礎設施可能有或者沒有最新的電壓浪涌和瞬態(tài)保護功能。這些瞬態(tài)事件可能是由雷擊、開關動作或類似的電壓浪涌事件造成的結果，會導致過電壓和過電流事件，進而損壞敏感電子設備...

2024-12-16

交流浪涌保護器浪涌保護

對比雙電源分立式和集成式儀表放大器

設計分立式儀表放大器 (IA) 與集成式 IA 的優(yōu)點和缺點有很多，而且經(jīng)常爭論不休。需要考慮的一些變量包括印刷電路板 (PCB) 面積、增益范圍、性能（隨溫度變化）和成本。本文的目的是比較三種雙電源 IA 電路：使用四路運算放大器 (op amp) 的分立式 IA、具有集成增益設置電阻器 (RG) 的通用 IA 和帶...

2024-12-13

雙電源分立式集成式儀表放大器

無輔助繞組 GaN 反激式轉換器如何解決交流/直流適配器設計難題

人們對更小、更高效電源的需求不斷增長，進而推動著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級快速普及。在交流/直流適配器市場中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉換器，通過功能越來越強大但尺寸越來越小的適配器，幫助擴大 USB Type-C? 接口的市場規(guī)模。

2024-12-13

無輔助繞組 GaN 反激式轉換器交流/直流適配器

如何選擇有效的ESD保護二極管

ESD 保護器件的目的是將數(shù)千伏的 ESD 輸入降低至受保護 IC 的安全電壓，并將電流從 IC 分流出去。盡管所需 ESD 波形的輸入電壓和電流在過去幾年中沒有變化，但保護 IC 所需的安全電壓水平卻有所下降。過去，IC 設計對 ESD 更加穩(wěn)健，并且可以處理更高的電壓，因此選擇能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級要...

2024-12-12

ESD 保護二極管

第11講：三菱電機工業(yè)SiC芯片技術

1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應用于工業(yè)、汽車等領域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術開發(fā)概要。

2024-12-12

三菱電機工業(yè) SiC 芯片技術

用4200A和矩陣開關搭建自動智能的可靠性評估平臺

在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導的退化是一個重要的與可靠性相關的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場加速時獲得動能。當大多數(shù)載流子到達漏極時，熱載流子（動能非常高的載流子）由于原子能級碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對。

2024-12-12

矩陣開關熱載流子

功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型

有了熱阻熱容的概念，自然就會想到在導熱材料串并聯(lián)時，就可以用阻容網(wǎng)絡來描述。一個帶銅基板的模塊有7層材料構成，各層都有一定的熱阻和熱容，哪怕是散熱器，其本身也有熱阻和熱容。整個散熱通路還包括導熱脂、散熱器和環(huán)境。不同時間尺度下的各層溫度如下圖，溫度的紋波是由熱容決定的。

2024-12-11

功率器件熱設計熱等效模型

學子專區(qū)—ADALM2000實驗：調諧放大器級—第2部分

正如我們在上一組實驗中了解到的，二階LC諧振電路通常用作放大器級中的調諧元件。如圖1所示，簡單的并聯(lián)LC諧振電路可以產(chǎn)生電壓增益，但需要消耗電流來驅動阻性負載。緩沖放大器（如射極跟隨器）可以提供所需的電流（或功率）增益來驅動負載。

2024-12-11

ADALM2000 調諧放大器

功率器件熱設計基礎（六）——瞬態(tài)熱測量

功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

2024-12-09

功率器件瞬態(tài)熱測量

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