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電路保護(hù)

如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應(yīng)

本文主要介紹了由于米勒電容器引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)，以及如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應(yīng)。在操作IGBT時面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動器（單電源驅(qū)動器）中，這種影響是明顯的。

2021-05-19

有源米勒鉗位電路寄生效應(yīng)

巧用采樣和保持電路，確保ADC精度

本文介紹了如何使用ADC的采樣和保持 (S&H) 或跟蹤和保持 (T&H) 電路來防止幅度偏差，通過來自Texas Instruments、Maxim Integrated和Analog Devices的針對不同應(yīng)用、具有不同特性的器件實例，討論了S&H IC的特性和選擇標(biāo)準(zhǔn)，并介紹了帶有集成S&H的ADC。

2021-05-18

采樣保持電路 ADC

深圳物聯(lián)網(wǎng)展-IOTE 國際物聯(lián)網(wǎng)展

IOTE 2021第十六屆國際物聯(lián)網(wǎng)展·深圳站，是一個關(guān)于物聯(lián)網(wǎng)完整產(chǎn)業(yè)鏈，覆蓋物聯(lián)網(wǎng)感知層、網(wǎng)絡(luò)層、運(yùn)算與平臺層、應(yīng)用層，涉及RFID（無線射頻識別）技術(shù)、傳感網(wǎng)技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)通信技術(shù)、金融消費(fèi)移動支付技術(shù)、中間件的精確控制技術(shù)、大數(shù)據(jù)處理、AIoT、云計算、邊緣計算、實時定位技術(shù)等物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)...

2021-05-18

深圳物聯(lián)網(wǎng)展

利用單片機(jī)定時器實現(xiàn)信號采樣和PWM控制

PWM控制方式廣泛應(yīng)用于各種控制系統(tǒng)中，但對脈沖寬度的調(diào)節(jié)一般采用硬件來實現(xiàn)。如使用PWM控制器或在系統(tǒng)中增加PWM電路[1]等，則本錢高、響應(yīng)速度慢，而且PWM控制器與系統(tǒng)之間存在兼容題目。另外，控制系統(tǒng)中的信號采樣通常是由A/D轉(zhuǎn)換器來完成，因此檢測精度要求較高時，調(diào)理電路復(fù)雜，而且因A/D的...

2021-05-18

單片機(jī)定時器信號采樣 PWM控制

倒置降壓器怎樣解決交流電源非隔離反激器的拓?fù)溥x擇？

在決定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時，反激通常是任何低功耗離線轉(zhuǎn)換器的首選。但是，如果不需要隔離，這可能不是最好的方法。假設(shè)終端設(shè)備是一個智能燈開關(guān)，用戶可以通過智能手機(jī)的應(yīng)用進(jìn)行控制。在這種情況下，用戶在操作過程中不會接觸到暴露的電壓，因此不需要隔離。

2021-05-17

倒置降壓器交流電源非隔離反激器

晶體管篇之負(fù)載開關(guān)

負(fù)載開關(guān)Q1導(dǎo)通瞬間會暫時流過比穩(wěn)態(tài)電流大得多的電流。輸出側(cè)的負(fù)載容量CL的電荷接近零時，向輸出VO施加電壓的瞬間會流過大充電電流。

2021-05-17

晶體管負(fù)載開關(guān)

采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效

圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉(zhuǎn)換器的效率，但是主流半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實現(xiàn)99.3%以上的效率。

2021-05-17

SiC FET 圖騰柱PFC級

反饋點(diǎn)接到運(yùn)放同相端，輸出震蕩后是電路還是負(fù)反饋嗎？

最近在選型一款高壓側(cè)電流檢測芯片，很多芯片廠商都有類似芯片推薦，TI的INA168，ADI家的LTC6101，Maxim的MAX4372。工作原理是將采樣電阻的電壓轉(zhuǎn)移到運(yùn)放輸入級的電阻Rin，芯片輸出端外接下拉電阻Ro，實現(xiàn)增益可調(diào)的效果，G=Ro/Rin。

2021-05-14

反饋點(diǎn) 負(fù)反饋電路

安森美650V SiC滿足高可靠性的應(yīng)用

隨著寬帶隙技術(shù)在傳統(tǒng)和新興電力電子應(yīng)用中的不斷普及，半導(dǎo)體公司正以驚人的速度開發(fā)其產(chǎn)品。 2021年，安森美半導(dǎo)體發(fā)布了650 V碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，以支持從數(shù)百瓦到數(shù)十千瓦的直流電源需求，包括汽車牽引逆變器，電動汽車（EV）充電，太陽能逆變器等應(yīng)用，服務(wù)器電源單元（PSU）和不間斷電...

2021-05-14

安森美 SiC 寬帶隙技術(shù) MOSFET技術(shù)

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