【導(dǎo)讀】本篇文章對(duì)LLC電路中MOS管的替換對(duì)整機(jī)效率的影響，并給出了對(duì)比數(shù)據(jù)。在最后，給出了MOS管并聯(lián)二極管Trff在LLC拓?fù)渲械年P(guān)鍵作用分析。這些知識(shí)點(diǎn)很難在教科書中得到體現(xiàn)，是只能通過(guò)不斷的實(shí)踐和實(shí)驗(yàn)得出的結(jié)果，希望能對(duì)大家有所幫助。
LLC諧振適用于高密度且具有高頻設(shè)計(jì)要求的電路。由于不存在反向恢復(fù)的問(wèn)題，所以開關(guān)損耗也異常的小。雖然LLC電路本身?yè)碛懈咝У秃牡膬?yōu)點(diǎn)，但是這并不意味著其在任何情況下都能最大程度上降低損耗，在一些情況下如果設(shè)置不當(dāng)反而會(huì)導(dǎo)致正激的效率低下。
本文以一個(gè)電力操作電源的溫升測(cè)試為基礎(chǔ)，分析了一種MOS管替換不當(dāng)?shù)那闆r下，LLC電路導(dǎo)致整機(jī)效率低下的例子。
在對(duì)MOS管進(jìn)行替換之后整機(jī)功耗下降了8W，下面就來(lái)分析一下問(wèn)題所在。
測(cè)試之前先對(duì)MOS管的參數(shù)進(jìn)行一下對(duì)比。
調(diào)試使用的是IRFP460，做替代料的是UF460。這兩根管子從電容參數(shù)RDS on角度來(lái)看還是IRFP460占優(yōu)勢(shì)。但這里有一個(gè)在LLC拓?fù)渖戏浅ｊP(guān)鍵的參數(shù)，Trff也就是反并聯(lián)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間，UF460優(yōu)秀很多。
因?yàn)長(zhǎng)LC是零壓開通，近似零電流關(guān)斷，所以MOS管輸入輸出電容就算較高也跟效率關(guān)系不大。
在LLC拓?fù)渲校床⒙?lián)二極管的關(guān)斷速度是一個(gè)非常關(guān)鍵的參數(shù)，如果Trff大，可以試著將死區(qū)時(shí)間延長(zhǎng)。 如果Trff時(shí)間長(zhǎng)，死區(qū)不夠的情況下，甚至連效率都談不上。在大動(dòng)態(tài)情況下就很容易炸機(jī)。
MOS管并聯(lián)二極管Trff在LLC拓?fù)渲械年P(guān)鍵作用
圖1、圖2、圖3給出了MOS管并聯(lián)二極管Trff時(shí)，在LLC拓?fù)渲械年P(guān)鍵作用，并配合電路圖給出了相應(yīng)的文字解釋，幫助大家理解。
若MOS管反并聯(lián)二極管的Trff太長(zhǎng)，并且在諧振腔電流換流完成之后還沒有關(guān)斷，那么久相當(dāng)于MOS管短路了，就會(huì)直接炸機(jī)。
