【導讀】東芝將量產(chǎn)SiC制肖特基勢壘二極管，可將元件損失降低50%以上。新產(chǎn)品可用于服務(wù)器電源、光伏發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器等用途，新產(chǎn)品的反向重復峰值電壓VRRM為650V，平均正向電流IFM為12A，正向電壓VF為1.7V，反向重復峰值電流IRRM為90μA。
東芝于2013年3月19日宣布，將從2013年3月底開始在該公司的姬路半導體工廠量產(chǎn)SiC功率半導體產(chǎn)品。最初量產(chǎn)的是SiC肖特基勢壘二極管TRS12E65C。
圖1：肖特基勢壘二極管
新產(chǎn)品可用于服務(wù)器電源、光伏發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器等用途，與以往的Si二極管相比，在電源用途可將元件損失降低50%以上（與該公司產(chǎn)品的比較）。新產(chǎn)品的反向重復峰值電壓VRRM為650V，平均正向電流IFM為12A，正向電壓VF為1.7V（正向電流為12A時的最大值），反向重復峰值電流IRRM為90μA（反向重復峰值電壓為650V時的最大值）。
TRS12E65C的量產(chǎn)規(guī)模預定為100萬個/月。東芝預測，采用SiC的功率半導體市場到2020年將增長至目前的約10倍，今后該公司將繼續(xù)通過增加符合市場需求的新產(chǎn)品來強化業(yè)務(wù)，爭取在2020年使市場份額達到30%。
