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互連技術

意法半導體攜邊緣人工緣智能方案重磅登陸新加坡半導體展會

全球半導體巨頭意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）于2025年5月20日至22日亮相東南亞國際半導體展會（展位號L1901），圍繞“邊緣人工智能與自動化解決方案”主題，向業(yè)界展示其針對智能工業(yè)、智慧城市等場景的技術創(chuàng)新。作為服務多重電子應用領域的半導體領軍企業(yè)，ST此次參展凸顯其對東南亞市...

2025-05-30

意法半導體攜邊緣人工緣智能方案重磅登陸新加坡半導體展會

介質電容選型全攻略：從原理到原廠成本深度解析

介質電容作為電子系統(tǒng)的“能量調節(jié)器”，通過電介質極化實現(xiàn)電荷存儲與釋放，其性能直接決定電路效率與可靠性。2024年清華大學突破性高熵設計將MLCC能量密度推至20.8J/cm3，西安交大更實現(xiàn)400℃高溫穩(wěn)定工作。本文將解析介質電容技術演進、選型策略及全球產(chǎn)業(yè)競爭格局，為高可靠系統(tǒng)設計提供關鍵參考。

2025-05-30

介質電容

秒發(fā)3.5萬現(xiàn)貨！貿澤和Molex強強聯(lián)手：18萬種連接方案

貿澤電子作為Molex全球授權代理商，獨家供應超18萬種連接器解決方案，其中35,000庫存產(chǎn)品支持即日發(fā)貨。覆蓋通信、數(shù)據(jù)中心、交通、醫(yī)療和工業(yè)設備等高需求領域，為工程師提供從設計選型到量產(chǎn)交付的一站式連接器資源庫。

2025-05-29

貿澤 Molex 連接通信數(shù)據(jù)中心交通醫(yī)療工業(yè)

意法半導體拓展新加坡“廠內實驗室” 深化壓電MEMS技術合作

全球半導體巨頭意法半導體（ST）宣布擴大新加坡"廠內實驗室"（Lab-in-Fab）項目，聯(lián)合科技研究局微電子研究所 (A*STAR IME)、愛發(fā)科（ULVAC）、新加坡科技研究局材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 及新加坡國立大學（NUS），共同推進壓電MEMS技術開發(fā)。

2025-05-29

意法半導體 Lab-in-Fab 壓電MEMS技術

有機實心電位器選型避坑指南：國際大廠VS國產(chǎn)新勢力

有機實心電位器是一種以有機聚合物為基材，通過填充導電顆粒（如碳黑、石墨）形成連續(xù)電阻體的無源電子元件。其核心結構由電阻軌道、集電刷和轉動軸組成，通過機械旋轉改變集電刷與電阻體的接觸位置，實現(xiàn)電阻值的連續(xù)調節(jié)。

2025-05-29

有機實心電位器

CMOS有源晶振電壓特性與精準測量指南

CMOS有源晶振的供電電壓（Vcc）直接決定其輸出電壓特性。這種“高壓平、低壓差”的設計確保了數(shù)字電路的噪聲容限。例如LVCMOS3V3標準要求Voh≥3.2V（3.3V供電時），以滿足下游芯片的高電平識別閾值（≥2.0V）。供電電壓的兼容性是選型核心——如YXC YSO110TR系列支持1.8~3.3V寬壓輸入，適配低功耗IoT設備...

2025-05-29

CMOS有源晶振電壓特性精準測量

Arm 生態(tài)系統(tǒng)：從云端到邊緣全面驅動 AI

人工智能 (AI) 正以前所未有的速度重塑科技，成為人們日常生活中不可或缺的一部分。Arm 計算平臺正處于這場變革的核心?；?Arm 架構的芯片出貨量迄今已累計超過

2025-05-28

Arm 生態(tài)

電容選型避坑手冊：參數(shù)、成本與場景化適配邏輯

電容器是一種通過電場儲存電荷的無源元件，其基本結構由兩個導體極板和中間的絕緣介質（電介質）組成。當兩極板施加電壓時，正負電荷在極板上積累，形成電場儲能。電容值（C）由極板面積（A）、極板間距（d）和電介質介電常數(shù)（ε）決定。

2025-05-27

電容

小體積大能量：陶瓷電容技術全解析：定義、原理與市場格局

陶瓷電容是以陶瓷介質為核心，通過金屬電極層疊或涂覆形成的無源電子元件。其核心原理基于陶瓷介質的極化效應：當施加電壓時，陶瓷介質內部的正負電荷發(fā)生位移，形成電場儲存電能；斷開電源后，電荷釋放供給電路。

2025-05-27

陶瓷電容

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