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醫(yī)療穿戴

VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻

Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業(yè)級(jí)別絕對(duì) TCR、在 +25°C 時(shí)最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優(yōu)越功率系數(shù)（“自身散熱產(chǎn)生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。

2008-09-17

電阻 VPR221Z VPR221SZ

我國(guó)遭美"337調(diào)查" LED企業(yè)上升至10家

2008年8月30日，我國(guó)又有6家LED企業(yè)即半導(dǎo)體照明企業(yè)，被控涉嫌專(zhuān)利侵權(quán)而將面臨美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(U.S.ITC)的“337調(diào)查”。加上此前已有6家中國(guó)大陸LED企業(yè)被起訴且其中4家被列入ITC“337調(diào)查”名單，今年以來(lái)，我國(guó)已有12家LED企業(yè)遭遇海外知識(shí)產(chǎn)權(quán)糾紛(不包括我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)企業(yè))。

2008-09-16

知識(shí)產(chǎn)權(quán) LED Rothschild 337調(diào)查

中能打破多晶硅技術(shù)壟斷成中國(guó)硅料第一股

紐約證券交易所前不久突然發(fā)布了一則令全球光伏行業(yè)為之震動(dòng)的消息，總部位于香港的太陽(yáng)能硅芯片供應(yīng)商協(xié)鑫硅業(yè)(GCL)已向美國(guó)證券交易委員會(huì)(SEC)遞交了IPO 申請(qǐng)，而這家公司的業(yè)務(wù)主體正是江蘇中能。

2008-09-11

多晶硅

南方芯源在西安成立研發(fā)中心西安芯派

2008年8月18日，Samwin公司投資發(fā)起設(shè)立的西安芯派科技有限公司正式成立，主要從事MOSFET全新溝通工藝，電源管理IC及射頻技術(shù)應(yīng)用三個(gè)方面的產(chǎn)品研發(fā)。該中心的成立將進(jìn)一步提高Samwin產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)度。

2008-08-20

西安芯派 Samwin MOSFET 南方芯源

賽維LDK與印度光伏老大簽5年供應(yīng)合同

剛剛成為全球最大硅片生產(chǎn)商的賽維LDK太陽(yáng)能有限公司(下稱(chēng)“賽維LDK”)昨日宣布，公司近日與印度的XL Telecom & Energy公司簽訂了為期5年的太陽(yáng)能多晶硅片供應(yīng)合同。后者是印度最大的太陽(yáng)能企業(yè)。

2008-08-20

多晶硅太陽(yáng)能

VCS1625Z ：Vishay改進(jìn)的S系列高精度箔電阻

Vishay宣布推出改進(jìn)的 S 系列高精度 Bulk Metal? 箔 (BMF) 電阻，這些電阻在 -55°C～+125°C（+25°C 參考點(diǎn)）時(shí)具有 ±2 ppm/°C 的軍用級(jí)典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超過(guò) 10,000 小時(shí)的 ±0.005% 負(fù)載壽命穩(wěn)定性。

2008-08-15

VCS1625Z 箔電阻軍事航空

VCS1625Z ：Vishay改進(jìn)的S系列高精度箔電阻

2008-08-15

VCS1625Z 箔電阻軍事航空

VSMP0603：Vishay Bulk Metal Z箔卷型表面貼裝電阻

Vishay宣布推出新型 VSMP0603超高精度Bulk Metal Z 箔卷型表面貼裝電阻。典型的 0603 電阻經(jīng)過(guò) 1000 小時(shí)工作負(fù)荷后負(fù)載壽命穩(wěn)定性 ≥0.1%，Vishay 新型器件在這方面已大幅改進(jìn)，在額定功率、溫度 70oC 情況下工作 2000 小時(shí)負(fù)載壽命穩(wěn)定性為 ±0.005%。

2008-08-13

VSMP0603 表面貼裝電阻軍用級(jí)

S系列：Vishay改進(jìn)的軍用級(jí)高精度箔電阻

2008-07-30

箔電阻 S系列軍用級(jí)

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