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醫(yī)療穿戴

納芯微低功耗數(shù)字溫度傳感器NST112x用于可穿戴類設(shè)備測溫

可穿戴設(shè)備例如智能手表主打智能助理、健康、安全和運動等多功能定位深受消費者喜愛。后疫情時代，消費者更加關(guān)注自身健康，體溫測量成為了健康監(jiān)測管理和多維預(yù)防的重要手段。人們可以通過具有體溫測量功能的可穿戴設(shè)備隨時隨地了解自身健康狀況，實現(xiàn)自我防護(hù)。

2022-10-25

納芯微溫度傳感器可穿戴

使用低靜態(tài)電流小型器件準(zhǔn)確測量生命體

眼下，“便攜式未來”似乎近在咫尺，曾經(jīng)龐大笨重的設(shè)備如今已變得輕巧便攜。我在個人電子產(chǎn)品上對此有著親身體會：以前的手機(jī)又重又慢，而現(xiàn)在的手機(jī)不僅外形纖薄，運行速度快，而且電池壽命也越來越長。

2022-10-25

血糖檢測儀 REF35 TI

開關(guān)模式電源電路板布局的黃金法則

本文介紹有關(guān)實現(xiàn)優(yōu)化電路板布局的基礎(chǔ)知識，在設(shè)計開關(guān)模式電源時，優(yōu)化電路板布局是一個重要方面。合理布局可以確保開關(guān)穩(wěn)壓器保持穩(wěn)定工作，并盡可能降低輻射干擾和傳導(dǎo)干擾(EMI)。這一點電子開發(fā)人員都很清楚。但是，大家并不知道，開關(guān)模式電源的優(yōu)化電路板布局應(yīng)該是什么樣子的。

2022-10-19

開關(guān)電源電路板布局

具有集成電容器的降壓穩(wěn)壓器如何幫助降低EMI和節(jié)省布板空間

在實現(xiàn)高效緊湊設(shè)計的同時遵守國際無線電干擾特別委員會 (CISPR) 等組織提出的嚴(yán)格電磁干擾 (EMI) 要求是一項挑戰(zhàn)。因此，元件的選擇成為設(shè)計過程的關(guān)鍵。與大多數(shù)設(shè)計決策一樣，在不同元件之間進(jìn)行選擇幾乎總是歸結(jié)為基于關(guān)鍵設(shè)計目標(biāo)的權(quán)衡評估。降壓穩(wěn)壓器以高效率和良好的熱性能著稱，但通常不...

2022-10-18

電容器降壓穩(wěn)壓器 EMI

可穿戴設(shè)備中的傳感器：尺寸越來越“小”，左右越來越“大”！

市場上的可穿戴設(shè)備五花八門，歸結(jié)起來主要分為兩類：醫(yī)用可穿戴設(shè)備、健身穿戴設(shè)備。其中，醫(yī)用可穿戴設(shè)備是直接支持醫(yī)生監(jiān)測和治療患者的設(shè)備，所有這些設(shè)備在上市前必須經(jīng)過醫(yī)療主管部門的批準(zhǔn)。對于健身穿戴設(shè)備而言，其主要應(yīng)用也可以說是用于醫(yī)療保健，只不過它們收集的數(shù)據(jù)大多用于運動健康...

2022-10-17

可穿戴設(shè)備傳感器貿(mào)澤電子

MOS管的Miller 效應(yīng)

本文對于 MOS 管工作在開關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行了分析。巧妙的應(yīng)用 Miller 效應(yīng)可以實現(xiàn)電源的緩啟動。

2022-10-12

MOS管米勒效應(yīng)

如何應(yīng)對不間斷電源(UPS)設(shè)計挑戰(zhàn)

電池供電的不間斷電源(UPS)在保護(hù)數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療設(shè)施、工廠、電信樞紐甚至家庭中的敏感設(shè)備免受短期電網(wǎng)尖峰和停電影響方面非常重要。在停電時間較長的情況下，它們能夠提供必要的短期電力，以實現(xiàn)有準(zhǔn)備的斷電，防止數(shù)據(jù)丟失。

2022-09-29

不間斷電源電路設(shè)計

電源設(shè)計器件布局和布線要點

在電源設(shè)計中，精心的布局和布線對于能否實現(xiàn)出色設(shè)計至關(guān)重要，要為尺寸、精度、效率留出足夠空間，以避免在生產(chǎn)中出現(xiàn)問題。我們可以利用多年的測試經(jīng)驗，以及布局工程師具備的專業(yè)知識，最終完成電路板生產(chǎn)。

2022-09-26

電源設(shè)計布局

什么是dV/dt失效

如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導(dǎo)通，從而越容易發(fā)生失效...

2022-09-22

dV/dt失效 MOSFET

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