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破局PMIC定制困境：無代碼方案加速產(chǎn)品落地
電源管理集成電路(PMIC)有益于簡化最終應(yīng)用并縮小其尺寸，也因此備受青睞。然而，當(dāng)默認(rèn)啟動(dòng)時(shí)序和輸出電壓與應(yīng)用要求不符時(shí)，就需要定制上電設(shè)置。大多數(shù)情況下，電路沒有可以存儲(chǔ)這些設(shè)置的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)。對(duì)此，低功耗微控制器是一個(gè)很好的解決方案，其功能特性和所包含的工具可以在上電時(shí)對(duì)PMIC控制寄存器進(jìn)行編程，而不需要開發(fā)固件。本文將探討如何使用工具鏈來解決集成難題。該工具鏈無需開發(fā)固件，能夠簡化PMIC的定制過程，并顯著縮短開發(fā)周期。
2025-05-18
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動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)重構(gòu)技術(shù)落地！意法半導(dǎo)體全球首發(fā)可編程車規(guī)MCU破解域控制器算力僵局
意法半導(dǎo)體推出內(nèi)置xMemory的Stellar車規(guī)級(jí)微控制器。xMemory是Stellar系列汽車微控制器內(nèi)置的新一代可改變存儲(chǔ)配置的存儲(chǔ)器，可徹底改變開發(fā)軟件定義汽車 (SDV) 和升級(jí)電動(dòng)汽車平臺(tái)的艱難過程。
2025-04-17
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自動(dòng)測試設(shè)備應(yīng)用中PhotoMOS開關(guān)的替代方案
人工智能(AI)應(yīng)用對(duì)高性能內(nèi)存，尤其是高帶寬內(nèi)存(HBM)的需求不斷增長，芯片設(shè)計(jì)因此變得更加復(fù)雜。自動(dòng)測試設(shè)備(ATE)廠商是驗(yàn)證這些芯片的關(guān)鍵一環(huán)，目前正面臨著越來越大的壓力，需要不斷提升自身能力以滿足這一需求。傳統(tǒng)上，在存儲(chǔ)器晶圓探針電源應(yīng)用中，PhotoMOS開關(guān)因其良好的低電容乘電阻(CxR)特性而得到采用。低CxR有助于減少信號(hào)失真，改善開關(guān)關(guān)斷隔離度，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更低的插入損耗。
2025-02-23
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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會(huì)對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響，未來可能需要新的DRAM結(jié)構(gòu)來降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結(jié)構(gòu)的寄生電容。結(jié)果表明，與6F2結(jié)構(gòu)相比，4F2結(jié)構(gòu)顯著降低了節(jié)點(diǎn)接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們?nèi)蕴幱谥С制骷_(dá)成目標(biāo)性能的合格水平。相比6F2器件，4F2 DRAM器件的總寄生電容得到有效降低，可能在器件尺寸較小的情況下提供更優(yōu)的性能。
2024-11-20
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AMD 宣布推出第二代 Versal Premium 系列，滿足數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載需求
2024 年 11 月 12 日，加利福尼亞州圣克拉拉——AMD（超威，納斯達(dá)克股票代碼：AMD）今日宣布推出第二代 AMD Versal? Premium 系列，這款自適應(yīng) SoC 平臺(tái)旨在面向各種工作負(fù)載提供最高水平系統(tǒng)加速。第二代 Versal Premium 系列將成為 FPGA 行業(yè)首款在硬 IP 中采用 Compute Express Link （CXL?）3.1① 與 PCIe? Gen6 并支持 LPDDR5 存儲(chǔ)器的器件。
2024-11-13
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從富士通到RAMXEED，以全新一代FeRAM迎接邊緣智能高可靠性無延遲數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求
在人工智能大型模型和邊緣智能領(lǐng)域的算力需求激增的推動(dòng)下，市場對(duì)于高性能存儲(chǔ)解決方案的需求也在不斷增加。據(jù)此預(yù)測，2024年全球存儲(chǔ)器市場的銷售額有望增長61.3%，達(dá)到1500億美元。為了降低云和邊緣的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存儲(chǔ)器正迎來市場快速增長的發(fā)展大時(shí)代，如鐵電存儲(chǔ)器FeRAM和ReRAM，以及磁性存儲(chǔ)器MRAM、阻變式存儲(chǔ)器ReRAM等。
2024-11-08
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意法半導(dǎo)體推出Page EEPROM二合一存儲(chǔ)器，提升智能邊緣設(shè)備的性能和能效
意法半導(dǎo)體的 Page EEPROM兼?zhèn)銭EPROM存儲(chǔ)技術(shù)的能效和耐用性與閃存的存儲(chǔ)容量和讀寫速度，為面臨極端尺寸和功率限制的應(yīng)用場景提供了一個(gè)混合存儲(chǔ)器。
2024-10-17
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一文讀懂 嵌入式系統(tǒng)外設(shè)器件的類型及其選擇
本文介紹了嵌入式系統(tǒng)外設(shè)器件的選擇，包括存儲(chǔ)器、時(shí)鐘源、定時(shí)器、通信接口和輸入/輸出接口等。文章介紹了多種存儲(chǔ)器類型及其選擇考慮因素，多種時(shí)鐘源的類型及其選擇考慮因素。強(qiáng)調(diào)了定時(shí)器精度和計(jì)時(shí)范圍的重要性。文章還介紹了通信接口類型、常見通信協(xié)議及其選擇因素，以及主要的輸入/輸出接口等，并總結(jié)了選擇這些外設(shè)器件時(shí)的關(guān)鍵考量。
2024-10-16
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DigiKey開售Kingston的內(nèi)存產(chǎn)品和存儲(chǔ)解決方案
DigiKey 宣布與 Kingston Technology（金士頓）合作，向全球分銷其內(nèi)存產(chǎn)品和存儲(chǔ)解決方案。作為全球最大的獨(dú)立存儲(chǔ)器產(chǎn)品制造商之一，Kingston 面向各種規(guī)模的工業(yè)和嵌入式 OEM 客戶，提供包括 eMMC、eMCP、ePoP、UFS 和 DRAM 組件在內(nèi)的各種存儲(chǔ)產(chǎn)品。該公司還提供一系列專為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師和制造者打造的工業(yè)級(jí) SATA 和 NVMe 固態(tài)硬盤 (SSD)。
2024-07-27
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MCX N系列微處理器之NPU使用方法簡介
MCX N系列是高性能、低功耗微控制器，配備智能外設(shè)和加速器，可提供多任務(wù)功能和高能效。部分MCX N系列產(chǎn)品包含恩智浦面向機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用的eIQ? Neutron神經(jīng)處理單元(NPU)。低功耗高速緩存增強(qiáng)了系統(tǒng)性能，雙塊Flash存儲(chǔ)器和帶ECC檢測的RAM支持系統(tǒng)功能安全，提供了額外的保護(hù)和保證。這些安全MCU包含恩智浦EdgeLock?安全區(qū)域Core Profile，根據(jù)設(shè)計(jì)安全方法構(gòu)建，提供具有不可變信任根和硬件加速加密的安全啟動(dòng)。
2024-04-23
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意法半導(dǎo)體突破20納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，提升新一代微控制器的成本競爭力
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布了一項(xiàng)基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術(shù)并整合嵌入式相變存儲(chǔ)器 (ePCM)的先進(jìn)制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級(jí)進(jìn)化。這項(xiàng)新工藝技術(shù)是意法半導(dǎo)體和三星晶圓代工廠共同開發(fā)，使嵌入式處理應(yīng)用的性能和功耗實(shí)現(xiàn)巨大飛躍，同時(shí)可以集成容量更大的存儲(chǔ)器和更多的模擬和數(shù)字外設(shè)?；谛录夹g(shù)的下一代 STM32 微控制器的首款產(chǎn)品將于 2024下半年開始向部分客戶提供樣片，2025 年下半年排產(chǎn)。
2024-03-26
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意法半導(dǎo)體超低功耗STM32MCU上新，讓便攜產(chǎn)品輕松擁有驚艷圖效
意法半導(dǎo)體推出了集成新的專用圖形加速器的STM32*微控制器(MCU)，讓成本敏感的小型產(chǎn)品也能為用戶帶來更好的圖形體驗(yàn)。超低功耗MCU STM32U5F9/G9和STM32U5F7/G7集成3MB片上動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)，可以為圖形顯示屏提供多個(gè)幀緩存區(qū)，以節(jié)省外部存儲(chǔ)芯片。新產(chǎn)品還集成了意法半導(dǎo)體的NeoChromVG圖形處理器(GPU)，能夠?qū)崿F(xiàn)的圖形效果可與更昂貴的高端微處理器相媲美。
2024-02-05
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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