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貿澤與Littelfuse聯(lián)手推出全新內容專題 為工業(yè)安全提供關鍵資源
2023年2月3日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Littelfuse合作推出新的內容專題, 提供一系列關于弧閃和觸電保護的信息資源。這個全新內容專題包括一系列文章、白皮書、傳單、案例研究、視頻和網絡廣播，為設計人員和制造商提供防止受傷和觸電所需的知識。
2023-02-03
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碳化硅如何革新電氣化趨勢
在相當長的一段時間內，硅一直是世界各地電力電子轉換器所用器件的首選半導體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導體：將電子激發(fā)到導帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標準硅基器件的多種優(yōu)勢。
2023-02-03
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貿澤電子分銷豐富多樣的Samtec產品系列
提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 是Samtec解決方案的全球授權分銷商，Samtec是電子互連解決方案的知名供應商。貿澤庫存有超過25,000個Samtec產品系列（超過400,000種開放訂購），并且持續(xù)上新，不斷加入新的Samtec解決方案和產品。
2023-02-01
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貿澤電子2022年新增超55家供應商 進一步擴大產品分銷陣容
2023年1月30日 – 提供超豐富半導體和電子元器件的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 于2022年新增59家供應商，產品分銷陣容進一步擴大，為廣大設計工程師與采購人員提供了更加多元化的選擇。貿澤為客戶提供各類先進的技術，以幫助設計人員避免代價高昂的重新設計、生產延誤甚至項目終止。
2023-02-01
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安森美與大眾汽車就下一代電動汽車的SiC技術達成戰(zhàn)略協(xié)議
領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)宣布與德國大眾汽車集團 (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議，為大眾汽車集團的下一代平臺系列提供模塊和半導體器件，以實現(xiàn)完整的電動汽車 (EV) 主驅逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分，形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅逆變器的解決方案。
2023-02-01
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還在為低電壓上電時的毛刺苦惱？這顆IC能搞定
有經驗的工程師都知道，系統(tǒng)最危險的時刻之一是通電的時候。根據(jù)時間常數(shù)以及電源軌達到標稱值的順利程度和速度，不同的 IC 和系統(tǒng)零件可能會開啟、鎖定或以不正確的模式開啟，因為這些器件試圖相互配合工作。面臨的更大挑戰(zhàn)是，上電時與時序和壓擺率相關的 IC 性能可能是溫度、相關電容器、機械應力、老化和其他因素的函數(shù)。
2023-02-01
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通過轉移到SiC技術來獲得暖通空調更佳的SEER等級
由于能源價格在過去12個月中大幅攀升，無論是企業(yè)還是消費者都開始感到巨大壓力。在歐洲，2020年至 2021[1]期間，天然氣價格上漲了47%。以德國為例，六分之一的發(fā)電量依賴天然氣。而在美國，五分之二的電力來自于天然氣發(fā)電。在歐盟[2] ，各種空間和工業(yè)供暖消耗了約75%的能源，而制冷需求則占美國總電能消耗的10%[3]，因此，對更高效熱泵和空調解決方案的需求日益受到關注。
2023-01-31
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通過柵極驅動器提高開關電源功率密度
像許多電子領域一樣，進步持續(xù)發(fā)生。目前，在 3.3kW 開關電源 (SMPS)中，產品效率高達 98%，1U結構尺寸，其功率密度可達 100 W/in3。這之所以可以實現(xiàn)是因為我們在 圖騰柱 PFC 級中明智地選擇了超結 (SJ) 功率 MOSFET（例如CoolMOS?），碳化硅 (SiC) MOSFET（例如 CoolSiC?），而且還采用了氮化鎵 (GaN) 功率開關（例如 CoolGaN?）用于400V LLC 應用。PFC 和 LLC 數(shù)字控制器是必不可少，正如采用平面磁性器件和先進的柵極驅動器 IC（如EiceDRIVER?）在實現(xiàn)高性能方面發(fā)揮著重要作用。
2023-01-29
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優(yōu)化汽車應用的駕駛循環(huán)仿真
碳化硅（SiC）已經改變了許多行業(yè)的電力傳輸，尤其是電動汽車（EV）充電和車載功率轉換部分。由于 SiC 具備卓越的熱特性、低損耗和高功率密度，因此相對 Si 與 IGBT 等更傳統(tǒng)的技術，具有更高的效率和可靠性。要想獲得最大的系統(tǒng)效率并且準確的預測性能，必須仿真這些由 SiC 組成的拓撲、系統(tǒng)和應用。
2023-01-28
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簡化隔離式軟件可配置I/O通道設計的高集成度、系統(tǒng)級方法
本文介紹一種軟件可配置輸入/輸出(I/O)器件及其專用隔離電源和數(shù)據(jù)解決方案，該解決方案有助于應對系統(tǒng)級工業(yè)應用的設計挑戰(zhàn)。本文闡述了在設計單個IC時從系統(tǒng)級角度進行思考的優(yōu)勢，并重點討論了建議解決方案的功耗優(yōu)化功能。
2023-01-27
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SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？
眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙?。在硅基產品時代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會干別的了嗎？非也。因為SiC材料獨有的特性，SiC MOSFET選擇溝槽結構，和IGBT是完全不同的思路。咱們一起來捋一捋。
2023-01-27
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SIMO PMIC：為可穿戴設備電源設計打開方便之窗！
我們生活在一個被電子設備包裹的時代，這些設備使我們的學習、工作、鍛煉、旅行和交流等變得非常方便，尤其是可穿戴設備正在成為人們日常生活中不可或缺的一部分。在醫(yī)療應用中，可穿戴設備可用于監(jiān)測心率、血壓、血氧水平、運動中燃燒的卡路里、睡眠跟蹤等。為了提供更好的用戶體驗，高性能、小尺寸和低功耗是這些可穿戴設備的關鍵指標。當然，要想全部實現(xiàn)這些目標通常需要在電路設計中進行一些權衡，比如為了滿足特定的功耗目標，設計者就必須增加設備的尺寸。那么，有沒有辦法可以在不增加這些電池供電設備尺寸的情況下又能有效延長電池壽命呢？
2023-01-20
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