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X-FAB率先向市場(chǎng)推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案
中國(guó)北京，2023年6月2日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強(qiáng)了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺(tái)反映了模擬應(yīng)用中對(duì)更高數(shù)字集成和處理能力日益增長(zhǎng)的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個(gè)芯片。
2023-06-05
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SiC 和 GaN 功率器件的可靠性和質(zhì)量要求
在 SiC 方面，GeneSiC 使用溝槽輔助平面柵極工藝流程，確?？煽康臇艠O氧化物和具有較低傳導(dǎo)損耗的器件。測(cè)試表明，在 150-kHz、1,200-V、7.5-kW DC/DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，溫度較低的器件運(yùn)行溫度約為 25°C。據(jù)估計(jì)，這種溫差可將器件壽命提高 3 倍。該公司對(duì)其 SiC 產(chǎn)品進(jìn)行了 100% 的雪崩測(cè)試，其示例如圖 3 所示。
2023-05-31
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為什么穩(wěn)定的開關(guān)模式電源仍會(huì)產(chǎn)生振蕩？
非常穩(wěn)定的開關(guān)模式電源(SMPS)仍可能由于其在輸出端的負(fù)電阻而產(chǎn)生振蕩。在輸入端，可以將SMPS看作一個(gè)小信號(hào)負(fù)電阻。其與輸入電感和輸入端電容一起可形成一個(gè)無(wú)阻尼振蕩電路。本文將就這一問(wèn)題的分析和解決方案進(jìn)行探討。將 LTspice? 用于仿真。
2023-05-29
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使用NCP1623A設(shè)計(jì)緊湊高效的PFC級(jí)的IC控制電路設(shè)計(jì)
之前我們介紹過(guò)快速設(shè)計(jì)由 NCP1623 驅(qū)動(dòng)的 CrM/DCM PFC 級(jí)的關(guān)鍵步驟中的定義關(guān)鍵規(guī)格與功率級(jí)設(shè)計(jì)。本文將詳細(xì)說(shuō)明IC控制電路設(shè)計(jì)中的細(xì)節(jié)：FB引腳電路、VCTRL 引腳電路、CS/ZCD 引腳電路、CSZCD電阻器設(shè)計(jì)等內(nèi)容。
2023-05-25
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【CMOS邏輯IC基礎(chǔ)知識(shí)】—解密組合邏輯背后的強(qiáng)大用途！（上）
在前面的芝識(shí)課堂中，我們跟大家簡(jiǎn)單介紹了邏輯IC的基本知識(shí)和分類，并且特別提到CMOS邏輯IC因?yàn)槌杀?、系統(tǒng)復(fù)雜度和功耗的平衡性很好，因此得到了最廣泛應(yīng)用，同時(shí)也和大家一起詳細(xì)了解了CMOS邏輯IC的基本操作。邏輯IC作為一種對(duì)一個(gè)或多個(gè)數(shù)字輸入信號(hào)執(zhí)行基本邏輯運(yùn)算以產(chǎn)生數(shù)字輸出信號(hào)的半導(dǎo)體器件，其應(yīng)用也是非常豐富的，今天就來(lái)和芝子一起了解一下吧。
2023-05-25
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現(xiàn)代電源開關(guān)在的電流檢測(cè)中歸零
STMicroelectronics 近推出了新一代汽車智能開關(guān)，使用內(nèi)部 A/D 轉(zhuǎn)換器提供有關(guān)負(fù)載電流的數(shù)字信息。在本文中，我們將探討具有電流感應(yīng)功能的電源開關(guān)的必要性，并了解現(xiàn)代開關(guān)如何實(shí)現(xiàn)此功能。
2023-05-25
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櫛風(fēng)沐雨50載！貿(mào)澤電子慶祝全球總裁兼首席執(zhí)行官Glenn Smith服務(wù)50周年里程碑
2023年5月25日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 隆重宣布貿(mào)澤電子全球總裁兼首席執(zhí)行官Glenn Smith先生任職50周年里程碑, 半個(gè)世紀(jì)的努力，帶領(lǐng)貿(mào)澤跨越發(fā)展，并將攜手大家迎接下一個(gè)全新挑戰(zhàn)。
2023-05-25
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拿什么追趕英偉達(dá)、AMD？“AI芯片大戰(zhàn)”最新進(jìn)展
未來(lái)國(guó)產(chǎn)廠商有望在ASIC領(lǐng)域繼續(xù)保持技術(shù)優(yōu)勢(shì)，突破國(guó)外廠商在AI芯片的壟斷格局。
2023-05-24
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采用增強(qiáng)互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設(shè)計(jì)高能效焊機(jī)
近年來(lái)，為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過(guò)改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。
2023-05-23
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如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模塊，打造充電更快的車載充電器？
要能快速高效地為電動(dòng)車更大的電池充電，電動(dòng)車才能在市場(chǎng)普及并發(fā)展。2021 年，市場(chǎng)上排名前 12 位的電動(dòng)汽車的平均電池容量為 80 kW-hr。消費(fèi)者主要在家中使用車輛的車載充電器(OBC) 進(jìn)行充電。為確保合理的車輛充電時(shí)間，OEM 還將 OBC 的功率容量從 6.6 kW 提高到 11 kW，甚至高達(dá) 22 kW。使用 6.6 kW OBC 時(shí)，這些電動(dòng)汽車需要 12.1 小時(shí)才能充滿電。而將 OBC 功率增加到 11 kW 后，充電時(shí)間縮短至 7.3 小時(shí)，而使用 22 kW OBC 時(shí)，只需 3.6 小時(shí)即可充滿電。
2023-05-23
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賓夕法尼亞州立大學(xué)與安森美簽署諒解備忘錄以推動(dòng)碳化硅研究
2023 年 5 月 17日—賓夕法尼亞州立大學(xué)與智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），宣布雙方簽署了一份諒解備忘錄 (MOU)，旨在開展一項(xiàng)總額達(dá) 800 萬(wàn)美元的戰(zhàn)略合作，其中包括在賓夕法尼亞州立大學(xué)材料研究所 (MRI) 開設(shè)安森美碳化硅晶體中心 (SiC3)。未來(lái) 10 年，安森美每年都將為 SiC3 中心提供 80 萬(wàn)美元的資金。
2023-05-19
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貿(mào)澤電子第九次榮獲TE Connectivity年度全球卓越服務(wù)代理商獎(jiǎng)
2023年5月19日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布第九次榮獲全球連接器和傳感器知名供應(yīng)商TE Connectivity (TE) 頒發(fā)的年度全球卓越服務(wù)代理商獎(jiǎng)。此項(xiàng)大獎(jiǎng)肯定了貿(mào)澤電子2022年在銷量增長(zhǎng)、市場(chǎng)份額增長(zhǎng)、客戶增長(zhǎng)以及在商業(yè)推廣計(jì)劃方面的杰出表現(xiàn)。
2023-05-19
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