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絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡(jiǎn)史
盡管人們對(duì)寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體器件感到興奮，但硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時(shí)候都更加重要。在我們10月份發(fā)布的電動(dòng)汽車電力電子報(bào)告[2]中，TechInsights預(yù)測(cè)，xEV輕型汽車動(dòng)力總成的產(chǎn)量將從2020年的910萬增長(zhǎng)到2026年的4310萬，這使得其復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)達(dá)到25%。SiC MOSFET目前預(yù)計(jì)占市場(chǎng)的約26%，到2029年預(yù)計(jì)將占市場(chǎng)份額的50%。
2023-07-16
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安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態(tài)特性分析
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器）的使用指南。本文為第一部分，將重點(diǎn)介紹安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的靜態(tài)特性。
2023-07-13
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Amphenol安費(fèi)諾煥新發(fā)布ExaMAX2? Gen2，解放AI硬件算力效能！
中國(guó)上海，2023年7月11日——全球連接器領(lǐng)先企業(yè)Amphenol安費(fèi)諾在2023 electronica China慕尼黑上海電子展宣布重磅推出煥新產(chǎn)品ExaMAX2? Gen2。作為ExaMAX2? 系列的增強(qiáng)版，ExaMAX2? Gen2較上一代在性能方面有了顯著改進(jìn)。此次升級(jí)將使ExaMAX2? 連接器在信號(hào)完整性（包括反射和隔離）方面成為性能最佳的112G連接器之一。
2023-07-13
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SiC功率模塊中的NTC溫度傳感器解析
大多數(shù)功率模塊包含一個(gè)NTC溫度傳感器，通常它是一個(gè)負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，隨著溫度的增加其電阻會(huì)降低。因?yàn)槠涑杀据^低，NTC熱敏電阻可以作為功率模塊溫度測(cè)量和過溫保護(hù)的器件，但是其它器件如PTC正溫度系數(shù)電阻是更適合用來做具體的溫度控制應(yīng)用。使用溫度傳感器的信息相對(duì)比較容易，但是需要注意系統(tǒng)內(nèi)涉及到安全的考慮。
2023-07-12
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采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)
近年來，為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。
2023-07-11
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西部電博會(huì)開幕倒計(jì)時(shí)！超強(qiáng)劇透來了，這些值得打卡！
作為國(guó)家集成電路重大生產(chǎn)力布局的重要一極，四川省已基本形成IC設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、材料裝備等較為完整的產(chǎn)業(yè)體系。為全面落實(shí)成渝地區(qū)雙城經(jīng)濟(jì)圈建設(shè)重大戰(zhàn)略部署，川渝兩地抓住集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)度較高、互補(bǔ)性較強(qiáng)的基礎(chǔ)，通過建機(jī)制、搭平臺(tái)、強(qiáng)聯(lián)動(dòng)，推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展，積極打造國(guó)家重要集成電路產(chǎn)業(yè)備份基地。
2023-07-11
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用于車載充電器應(yīng)用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南
隨著電動(dòng)汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關(guān)頻率發(fā)展，對(duì) SiC MOSFET 的需求也在增長(zhǎng)。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經(jīng)上市，工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢(shì)設(shè)計(jì) OBC 系統(tǒng)。要注意的是，PFC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的變化非常顯著。設(shè)計(jì)人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無橋 PFC 拓?fù)?，因?yàn)樗兄吭降拈_關(guān)性能和較小的反向恢復(fù)特性。眾所周知，使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優(yōu)勢(shì)。
2023-07-10
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串行器應(yīng)用之如何將攝像頭的RGB或YUV輸出轉(zhuǎn)換成RGB數(shù)據(jù)？
串行器可以連接并控制攝像頭IC，ADI的這類器件包括MAX9257 (帶有半雙工UART/I2C控制通道)、MAX9259和MAX9263 (兩款均帶有全雙工同步控制通道)，MAX9263還支持寬帶數(shù)字內(nèi)容保護(hù)(HDCP)。本應(yīng)用筆記介紹如何將攝像頭的RGB或YUV輸出轉(zhuǎn)換成標(biāo)準(zhǔn)顯示器接受的RGB數(shù)據(jù)。
2023-07-10
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SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324
前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時(shí)也分享了安森美在器件開發(fā)的一些特點(diǎn)和進(jìn)展。到這里大家對(duì)于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對(duì)于一個(gè)SiC功率器件來說只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來，這次我們會(huì)從AQG324這個(gè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的角度來看芯片和封裝的開發(fā)與驗(yàn)證。
2023-07-10
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參與“得捷時(shí)刻”直播秀，贏精美禮品，DigiKey在2023慕尼黑上海電子展等著您！
在2023慕尼黑上海電子展期間，DigiKey將舉辦一場(chǎng)為期兩天的“得捷時(shí)刻”直播秀，期間大家可與來自知名廠商的眾多專家、意見領(lǐng)袖現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行交流和互動(dòng)。“得捷時(shí)刻”將圍繞行業(yè)熱點(diǎn)展開討論，包括汽車、IC、電機(jī)控制、物聯(lián)網(wǎng)、傳感器、健康可穿戴設(shè)備、綠色技術(shù)和行業(yè)分析，通過有趣的熱門話題分享，讓大家既受益又享受。
2023-07-10
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SiFive中國(guó)技術(shù)論壇圓滿落幕, 實(shí)力詮釋RISC-V成“垂直半導(dǎo)體時(shí)代”必選項(xiàng)
“RISC-V勢(shì)不可擋，” 暌違中國(guó)數(shù)年的RISC-V主要發(fā)明人、SiFive共同創(chuàng)辦人兼首席架構(gòu)師Krste Asanovic教授，在近日剛剛圓滿落幕的2023 SiFive RISC-V中國(guó)技術(shù)論壇北京、上海、深圳三地巡回演講時(shí)，始終強(qiáng)調(diào)了這一核心思想。
2023-07-10
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“國(guó)產(chǎn)芯片”瑞森半導(dǎo)體（REASUNOS）將亮相2023慕尼黑上海電子展
起步于2007年，專注于功率半導(dǎo)體器件及功率IC的研發(fā)、設(shè)計(jì)、銷售的瑞森半導(dǎo)體（REASUNOS），將于7月11日-13日亮相2023慕尼黑上海電子展（展位號(hào)：7.2H館 D320展位）。與眾多行業(yè)伙伴，共同聚焦新能源汽車、自動(dòng)駕駛、智能座艙 、充電樁、綠色能源等新興科技領(lǐng)域，深入探討功率半導(dǎo)體技術(shù)在領(lǐng)域的應(yīng)用及未來發(fā)展趨勢(shì)。
2023-07-09
- 國(guó)產(chǎn)芯片與系統(tǒng)深度融合！兆易創(chuàng)新聯(lián)袂普華軟件破局汽車電子
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