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2009年中國封測企業(yè)大排行
縱觀2009年的IC封測產(chǎn)業(yè)，從市場調(diào)查數(shù)據(jù)顯示目前中國封測市場還是以外資企業(yè)為主，不過由于市場和成本的因素，中國的封測企業(yè)發(fā)展前景依然廣大！
2010-07-21
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Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。
2010-07-20
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電子元器件：每周數(shù)據(jù)追蹤
根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究所報(bào)告，受全球產(chǎn)業(yè)景氣、中國內(nèi)需市場等多重因素拉動(dòng)，10年上半年國內(nèi)IC產(chǎn)值同比增速估計(jì)高達(dá)35%；但市場需求已放緩，庫存亦有緩慢抬升趨勢，預(yù)估10年銷售收入1380億元，增速在25%~30%，創(chuàng)歷史新高。
2010-07-20
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供需現(xiàn)差異 部分芯片產(chǎn)品交貨期拉長至20周
iSuppli指出，整體市場的交貨期比一個(gè)月以前所預(yù)期的拉長很多;例如功率 MOSFET 與小型訊號(hào)晶體管的交貨期在6月時(shí)約20周，雙極功率組件(bipolar Power devices)與整流器的交貨期則為18周;而在正常情況下，這些零組件的交貨期應(yīng)該是10~12周。
2010-07-19
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SEMI：2010年半導(dǎo)體設(shè)備市場將達(dá)325億美元 中國大陸增長138%
SEMI近日在SEMICON West展會(huì)上發(fā)布了SEMI Capital Equipment Forecast年中報(bào)告，根據(jù)該報(bào)告2010年半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將達(dá)到325億美元。
2010-07-19
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鋰電池保護(hù)電路綜述
鋰離子電池的保護(hù)電路就是要確保這樣的過度充電及放電狀態(tài)時(shí)的安全性，并防止特性劣化。鋰離子電池的保護(hù)電路是由保護(hù)IC及兩顆功率MOSFET所構(gòu)成，其中保護(hù)IC監(jiān)視電池電壓，當(dāng)有過度充電及放電狀態(tài)時(shí)切換到以外掛的功率MOSFET來保護(hù)電池，保護(hù)IC的功能有過度充電保護(hù)、過度放電保護(hù)和過電流／短路保護(hù)。
2010-07-18
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意法半導(dǎo)體（ST）縮小電涌保護(hù)器件尺寸
保護(hù)IC的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商意法半導(dǎo)體推出創(chuàng)新的電涌保護(hù)芯片，通過將額定電涌能量吸收能力擴(kuò)展到最大工作溫度，新產(chǎn)品有助于降低電子設(shè)備電涌保護(hù)器件的尺寸和成本。而市場現(xiàn)有競爭產(chǎn)品的保護(hù)性在工作溫度超過25°C時(shí)會(huì)大幅降低。
2010-07-16
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Mouser 備貨德州儀器MSP430? MCU Value Line和開發(fā)套件
Mouser Electronics，以其新產(chǎn)品快速導(dǎo)入知名，近日宣布備貨最新的德州儀器（TI）MSP430? Value Line 系列——超低價(jià)格的16位微處理器（MCU）。
2010-07-15
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Mouser 宣布備貨霍尼韋爾Limitless? WGLA 系列全局限位開關(guān)
Mouser Electronics，以其新產(chǎn)品快速導(dǎo)入知名，近日宣布備貨霍尼韋爾傳感控制Limitless? WGLA 系列全局限位開關(guān)。
2010-07-15
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基于ARM構(gòu)架的Energy Micro低功率解決方案
能源敏感應(yīng)用的配置不斷增加，它是指設(shè)備必須因?yàn)楦鞣N原因用一個(gè)單一電池長時(shí)間運(yùn)作。通常包括的應(yīng)用有能源計(jì)量、傳感器網(wǎng)絡(luò)或環(huán)境監(jiān)測的其它形式，在這些應(yīng)用中設(shè)備的占空比很低，因此希望運(yùn)行多年而不會(huì)受到用戶干預(yù)。 許多這些設(shè)備將使用流行的CR2032紐扣電池;一種3V的鋰/二氧化錳原電池。與5.6kΩ負(fù)載的2V終點(diǎn)電壓一樣，這些紐扣電池的典型容量為230mAh，相當(dāng)于約0.5毫安的放電，這使它們的壽命長達(dá)400小時(shí)。但是，這種紐扣電池設(shè)計(jì)具有約為0.25μA的自放電率，這意味著它的保質(zhì)期會(huì)長達(dá)20年。 在這兩個(gè)極端之間的就是能源敏感的應(yīng)用;它在低電壓下運(yùn)行的設(shè)備中電流消耗最小, 還提供可靠、可持續(xù)的功能。因此，很明顯，任何希望用一個(gè)單紐扣電池就實(shí)現(xiàn)類似主動(dòng)壽命的應(yīng)用都需要能夠?qū)⑵骄枨罅烤S持在約0.25μA。
2010-07-15
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全面解析今年一季全球半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能
國際半導(dǎo)體數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)SICAS近期的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計(jì)，另一類工藝為雙極工藝，通常用在模擬電路中。除了標(biāo)有300mm硅片MOS之外，雙極數(shù)據(jù)以5英寸等值硅片計(jì)，而分立器件以6英寸等值硅片計(jì)。總的半導(dǎo)體SC數(shù)據(jù)，包括雙極數(shù)據(jù)由5英寸轉(zhuǎn)換成8英寸利用轉(zhuǎn)換率0.391及分立器件由6英寸轉(zhuǎn)換成8英寸，利用轉(zhuǎn)換率0.563。
2010-07-15
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第五屆電磁兼容技術(shù)研討勝利閉幕，西部需求亮點(diǎn)凸顯
2010年9月14日，成都—電子元件技術(shù)網(wǎng)（www.azglds.com）攜手中國電子展、China Outlook Consulting于9月8日在成都嬌子國際會(huì)議中心成功舉辦了第五屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)——電磁兼容專場。本次研討會(huì)聚集了多家國內(nèi)外知名元器件廠商、測試廠商和仿真軟件廠商參與演講，并邀請(qǐng)歐盟EMC認(rèn)證專家舉行了專場技術(shù)講座，會(huì)場觀眾爆滿，氣氛熱烈，參與演講的技術(shù)專家與280位專業(yè)聽眾朋友分享了最新的電磁兼容技術(shù)趨勢與設(shè)計(jì)策略，并回答了熱心聽眾的提問。
2010-07-15
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