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電源管理

歐姆龍與IceMos開始量產(chǎn)采用MEMS工藝技術(shù)的超結(jié)構(gòu)造MOSFET

美國IceMos Technology與歐姆龍開始量產(chǎn)采用MEMS工藝技術(shù)的超結(jié)（Super-Junction）構(gòu)造MOSFET。IceMos Technology主要負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)和開發(fā)，歐姆龍負(fù)責(zé)生產(chǎn)。首批量產(chǎn)的是兩種產(chǎn)品。分別是耐壓為650V、最大漏電流為20A、導(dǎo)通電阻為170mΩ的產(chǎn)品和耐壓為600V、最大漏電流為20A、導(dǎo)通電阻為160mΩ的產(chǎn)品。作...

2011-08-09

MEMS工藝 n型層 p型層 MOSFET

如何選擇合適的DCDC電源模塊

最近，出現(xiàn)了一個(gè)新的選擇：負(fù)載點(diǎn)DC/DC電源模塊。這些模塊結(jié)合了實(shí)現(xiàn)即插即用(plug-and-play)解決方案所需的大部分或全部組件，可以取代多達(dá)40個(gè)不同的組件。這樣就簡化了集成并加速了設(shè)計(jì)，同時(shí)可減少電源管理部分的占板空間。

2011-08-09

DCDC 電源模塊 ISL8201M

詳解電池容量計(jì)技術(shù)原理

隨著環(huán)保意識(shí)的逐漸加強(qiáng)，世界各國競相開展環(huán)保汽車的研制，我國也正在投入資金開發(fā)以電池為動(dòng)力的電動(dòng)汽車。而電動(dòng)車必不可少的儀器就是電池容量計(jì)，就象普通汽車的油量表一樣，告訴使用者電池還剩余多少容量，能夠行駛多少公里。實(shí)際上，不僅電動(dòng)車需要電池容量計(jì)，許多使用電池的場(chǎng)合都對(duì)此有迫...

2011-08-09

電池容量計(jì) 電動(dòng)車充放電電路控制計(jì)數(shù)

新單相正弦車載電源設(shè)計(jì)

隨著社會(huì)的發(fā)展，汽車越來越與人們的生活息息相關(guān)，而汽車用的直流電壓一般為12V，不能為便攜式電子設(shè)備直接使用。為此，車載電源(就是把直流12V電壓轉(zhuǎn)換成交流220V/50Hz電源)的研制日益引起人們的重視。

2011-08-09

車載電源單相正弦 SG3525 555芯片

AC/DC電源測(cè)試解決方案

電源行業(yè)是整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)的能源基礎(chǔ)行業(yè)，隨著電力電子設(shè)備的多樣化及人們節(jié)能環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng)，電源市場(chǎng)也隨之繁榮活躍起來，競爭預(yù)演愈烈。

2011-08-09

AC/DC 電源測(cè)試數(shù)字萬用表數(shù)字示波器

系統(tǒng)DC電源的選擇影響著測(cè)試吞吐量

許多電子產(chǎn)品的自動(dòng)測(cè)試時(shí)間只有幾秒鐘，系統(tǒng)DC電源可能在這一時(shí)間中占相當(dāng)大的比重，因此在優(yōu)化測(cè)試吞吐量值得關(guān)注。但是，電源的判斷標(biāo)準(zhǔn)通常是價(jià)格和輸出功率，而不是其對(duì)測(cè)試吞吐量的影響。電源的輸出響應(yīng)速度、測(cè)量速度和特點(diǎn)都會(huì)影響測(cè)試吞吐量。許多電源可能會(huì)驚人的慢，因此盡管成本較低，...

2011-08-09

DC 吞吐量測(cè)量偏置電流

車載逆變電源的設(shè)計(jì)案例

在一些交通運(yùn)載、野外測(cè)控、可移動(dòng)武器裝備、工程修理車等設(shè)備中都配有不同規(guī)格的電源。通常這些設(shè)備工作空間狹小，環(huán)境惡劣，干擾大。因此對(duì)電源的設(shè)計(jì)要求也很高，除了具有良好的電氣性能外，還必須具備體積小、重量輕、成本低、可靠性高、抗干擾強(qiáng)等特點(diǎn)。

2011-08-09

電源車載逆變變壓器

高電源抑制的基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)方案

電子鎮(zhèn)流器的供電方式為半橋輸出接穩(wěn)壓管給芯片供電，其輸出電壓為高壓正弦波（50～100 kHz），加之芯片內(nèi)數(shù)字部分的干擾，這就給芯片的電源帶來較大的干擾。因此對(duì)芯片內(nèi)基準(zhǔn)的中頻PSR（Power Supply Rejection，電源抑制）有較大要求。本文從此角度在Brokaw帶隙基準(zhǔn)的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn)，采用LDO與基...

2011-08-08

電子鎮(zhèn)流器電源 LDO 基準(zhǔn)源

常用LED驅(qū)動(dòng)MOSFET的選擇

LED驅(qū)動(dòng)MOSFET常用的是NMOS，原因是導(dǎo)通電阻小，應(yīng)用較為廣泛，也符合LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)要求。所以開關(guān)電源和LED恒流驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。

2011-08-08

LED MOSFET LED驅(qū)動(dòng)

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