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電源管理

Si8802DB|Si8805EDB：Vishay推出業(yè)內(nèi)最小N溝道和P溝道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率MOSFET所用的MICRO FOOT?封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%，而導(dǎo)通電阻則與之相當甚...

2011-10-21

Si8802DB Si8805EDB Vishay MOSFET TrenchFET

未來電動汽車數(shù)量增加將造成電網(wǎng)高負荷

據(jù)外媒報道，全球智能電網(wǎng)模式近年來一直引發(fā)了熱議，很多專家得出結(jié)論，現(xiàn)在的電動汽車的規(guī)模已經(jīng)具備足夠能力實現(xiàn)電力儲存和傳輸。然而目前這一領(lǐng)域仍然面臨著一個巨大的挑戰(zhàn)變壓器。

2011-10-21

電動汽車電網(wǎng) 插電智能電網(wǎng)

TI推出超過300款電源管理參考設(shè)計的PowerLab

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出PowerLab參考設(shè)計庫，匯集了業(yè)界經(jīng)過測試的、最廣泛的電源管理參考設(shè)計。該 PowerLab 參考設(shè)計庫內(nèi)含300多款電源管理參考設(shè)計，滿足各種應(yīng)用及電源轉(zhuǎn)換拓撲的需求，如照明、電信、計算以及消費類電子等的隔離及非隔離式設(shè)計方案。

2011-10-21

電源管理印制電路板功率轉(zhuǎn)換數(shù)字電源

高頻變壓器的設(shè)計基礎(chǔ)

高頻鏈逆變技術(shù)用高頻變壓器代替?zhèn)鹘y(tǒng)逆變器中笨重的工頻變壓器，大大減小了逆變器的體積和重量。在高頻鏈的硬件電路設(shè)計中，高頻變壓器是重要的一環(huán)。

2011-10-21

高頻變壓器單片開關(guān)電源

基于超級電容-鉛酸蓄電池混合儲能的太陽能充電器

文中設(shè)計了基于超級電容-鉛酸蓄電池混合儲能的太陽能充電器，采用UC3909 智能管理芯片實現(xiàn)對鉛酸蓄電池具有溫度補償功能的的四階段充電管理；并利用超級電容器組及升降壓轉(zhuǎn)換電路實現(xiàn)弱光充電功能，優(yōu)化鉛酸蓄電池充放電過程，提高系統(tǒng)效率及穩(wěn)定性。

2011-10-20

鉛酸蓄電池太陽能超級電容充電器

開關(guān)電源中功率晶體管的二次擊穿及防護

本文分析了晶體管二次擊穿的現(xiàn)象和產(chǎn)生原因，并結(jié)合開關(guān)電源的設(shè)計及生產(chǎn)實際，介紹了緩沖回路的應(yīng)用及其它有關(guān)晶體管防護措施。

2011-10-20

開關(guān)電源晶體管二次擊穿功率晶體管

天津推出新型動力電源充電10分鐘，可行200公里

天津市將致力于推動“高能鎳碳超級電容器”產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)：一期投資10億元，建成1000萬只30億安時產(chǎn)能，預(yù)計產(chǎn)值200億元；二期建成1億只300億安時產(chǎn)能。

2011-10-20

電源汽車電子靜態(tài)電流穩(wěn)壓器

第二講：詳解智能電表的主流計量芯片方案

在智能電網(wǎng)的諸多應(yīng)用中，智能電表應(yīng)用已率先落地。根據(jù)國家電網(wǎng)公司電網(wǎng)智能化建設(shè)規(guī)劃，在國家電網(wǎng)公司“計量、抄表和收費標準化建設(shè)研究”項目成果的基礎(chǔ)上，全國的大多數(shù)電表企業(yè)均設(shè)計研發(fā)了符合新一代智能電網(wǎng)要求的電度表。

2011-10-19

智能電表 BL6523A 計量芯片 MCU

峰值電流控制的非隔離負電壓DC/DC開關(guān)電源設(shè)計

針對現(xiàn)有非隔離負電壓DC/DC開關(guān)電源在帶負載能力以及輸出紋波上的不足，本文提出了一種基于峰值電流控制的新型非隔離負電壓DC/DC開關(guān)電源設(shè)計方案，使現(xiàn)在連續(xù)電流模式（CCM）下輸出電容能始終通過輸出電感得到充電。進而有效抑制輸出紋波的影響，確保了負電源的高效率工作和帶負載能力。

2011-10-19

開關(guān)電源 DC/DC 峰值電流

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