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電源管理

可取代效能較低器件同時(shí)節(jié)省數(shù)量的功率MOSFET系列

IR 推出StrongIRFET功率MOSFET系列，適合要求超低導(dǎo)通電阻的工業(yè)應(yīng)用。新器件除了具備超低的導(dǎo)通電阻，其高電流額定值更有助于提升系統(tǒng)的可靠性。若用其取代效能較低的器件，更可節(jié)省器件數(shù)量。

2012-12-05

mosfet IR 導(dǎo)通電阻

導(dǎo)通電阻比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手低20%的40V N溝道MOSFET

飛兆半導(dǎo)體的40V PowerTrench MOSFET,在動(dòng)力轉(zhuǎn)向應(yīng)用中的功率控制更強(qiáng)、效率更高，該器件具有最低的導(dǎo)通電阻和較低的柵極電荷，可降低功耗，因此非常適合電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、懸架控制和傳動(dòng)系管理等應(yīng)用。

2012-12-05

mosfet 飛兆導(dǎo)通電阻

如何使SIMPLE SWITCHE 電源模塊性能達(dá)到最優(yōu)化

雖然新一代的電源模塊，以及通常與 DC-DC 轉(zhuǎn)換器有關(guān)的印刷電路板(PCB)布局提供了一種替代方案，但是如何將電感器和單片同步穩(wěn)壓器集成在一個(gè)電源組中的電源模塊上，能有最大的最好的效果，仍然有很多設(shè)計(jì)工作。這里介紹的是如何合理的布局PCB害優(yōu)化電源模塊性能的方法。

2012-12-04

電源模塊最優(yōu)化 PCB

如何利用TOPSwitch-GX設(shè)計(jì)單端正激式開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路

開(kāi)關(guān)電源顯然已成為穩(wěn)壓電源的主流產(chǎn)品。你想自己設(shè)計(jì)一個(gè)開(kāi)關(guān)電源嗎？以下告訴大家另一個(gè)如何設(shè)計(jì)單片機(jī)開(kāi)關(guān)電源的方法。利用TOPS244Y的一種脈寬調(diào)制高頻開(kāi)關(guān)電源，最終的目的是輸出30W、12V電壓。

2012-12-04

正激變換器 TOPSwith-GX 脈寬調(diào)制反饋

0.8mm x 0.8mm封裝的芯片級(jí)功率MOSFET

Vishay推出采用業(yè)內(nèi)最小芯片級(jí)MICRO FOOT封裝的新款Vishay Siliconix功率MOSFET，器件具有0.8mm x 0.8mm封裝，在4.5V下導(dǎo)通電阻低至43m?，可使便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕。

2012-12-03

0.8mm 芯片 MOSFET

精華篇：開(kāi)關(guān)電源各功能電路詳解

開(kāi)關(guān)電源一直都是一個(gè)熱點(diǎn)，大家都忙于開(kāi)關(guān)電源的相關(guān)設(shè)計(jì)，但是基礎(chǔ)打好是設(shè)計(jì)的前提。本文主要講解開(kāi)關(guān)電源的原理和對(duì)各部分電路的詳解。為研發(fā)的同學(xué)們鋪好路。

2012-11-30

開(kāi)關(guān)電源 AC-DC 防雷濾波過(guò)壓保護(hù)電路

原邊反饋AC/DC控制芯片中的關(guān)鍵技術(shù)

原邊反饋方式的AC/DC控制技術(shù)最大的優(yōu)勢(shì)在于省去了這兩個(gè)芯片以及與之配合工作的一組元器件，這樣就節(jié)省了系統(tǒng)板上的空間，降低了成本并且提高了系統(tǒng)的可靠性。為了實(shí)現(xiàn)高精度的恒流/恒壓（CC/CV）特性，必然要采用新的技術(shù)來(lái)監(jiān)控負(fù)載、電源和溫度的實(shí)時(shí)變化以及元器件的同批次容差。

2012-11-30

AC/DC 原邊反饋控制線纜補(bǔ)償 EMI

如何實(shí)現(xiàn)靈活的數(shù)字控制，DC/DC+PMBus

盡管電源管理對(duì)新式電子系統(tǒng)的可靠運(yùn)行至關(guān)重要，但是在今天以數(shù)字方式管理的系統(tǒng)中，穩(wěn)壓器也許是最后一個(gè)仍然存在的“盲點(diǎn)”。就穩(wěn)壓器而言，很少有辦法直接配置或監(jiān)視關(guān)鍵電源系統(tǒng)運(yùn)行參數(shù)。

2012-11-28

穩(wěn)壓器 DC/DC 電源設(shè)計(jì)

待機(jī)平均電流僅為0.1uA的超低功耗16Kb FRAM

富士通半導(dǎo)體推出帶新的小封裝的超低功耗16Kb FRAM，有助于延長(zhǎng)電池壽命并適應(yīng)更加小型化的便攜式應(yīng)用。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品相比，其待機(jī)電流和工作電流目前是全世界最低的。尤其是在待機(jī)模式下，平均電流僅為0.1uA。

2012-11-28

功耗富士通電池

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