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IRFP4XXXPBF:IR工業(yè)用高性能TO-247封裝MOSFET

發(fā)布時間:2008-11-03

產(chǎn)品特性:IR工業(yè)用高性能TO-247封裝MOSFET

  • 通態(tài)電阻能效比同類產(chǎn)品高出達(dá)50%
  • 采用TO-247封裝
  • N溝道MOSFET系列可提供40V至200V電壓
  • 符合工業(yè)級及MSL1要求
  • 不含鉛并符合RoHS

應(yīng)用范圍:

  • 同步整流、動態(tài)ORing
  • 高功率DC馬達(dá)、DC-AC轉(zhuǎn)換器
  • 電動工具等工業(yè)應(yīng)用

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布推出具有基準(zhǔn)低通態(tài)電阻(RDS (on))的溝道型HEXFET功率MOSFET系列。這些采用TO-247封裝的MOSFET適用于同步整流、動態(tài)ORing及包括高功率DC馬達(dá)、DC-AC轉(zhuǎn)換器及電動工具等工業(yè)應(yīng)用。

新MOSFET的通態(tài)電阻 (RDS (on)) 能效比同類產(chǎn)品高出達(dá)50%,無需工業(yè)應(yīng)用中通常使用的大型及昂貴封裝,有助于節(jié)省總系統(tǒng)成本。此外,低RDS (on) 可降低導(dǎo)通損耗,并提升系統(tǒng)效率。

IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“這個系列的卓越RDS (on) 額定值,可讓設(shè)計人員避免使用大電流工業(yè)應(yīng)用中,往往因散熱需要的大而昂貴的ISOTOP或小型BLOC封裝,使系統(tǒng)成本降低50%。”

全新N溝道MOSFET系列可提供40V至200V電壓,也符合工業(yè)級及MSL1要求。新MOSFET均不含鉛并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制 (RoHS) 指令。

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