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醫(yī)療穿戴

帶微處理器的繼電器將會迅速發(fā)展

隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展；現(xiàn)在國際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí)，需要高度不超過其它電子元件的更小的繼電器。

2008-09-24

繼電器

南方芯源推出全系列外延片快恢復(fù)二極管

南方芯源(Samwin)推出全系列外延片快恢復(fù)二極管。此系列FRED使用外延片做基片，相對于雙擴(kuò)片做基片的產(chǎn)品，一致性更好，耐壓性能更好，產(chǎn)品體現(xiàn)出快的恢復(fù)時(shí)間，目前已在UPS及HID行業(yè)廣泛應(yīng)用。

2008-09-23

外延片快恢復(fù)二極管 FRED UPS HID

影響中國電子信息產(chǎn)業(yè)國際競爭力的矛盾

目前，中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的主要矛盾依然突出，成為影響產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的絆腳石，制約了國際競爭力的進(jìn)一步提升。

2008-09-22

電子信息產(chǎn)業(yè)

VJ0805/1206/1210/1808/1812：Vishay的高可靠性MLCC

Vishay日前宣布，其 HVArc Guard表面貼裝 X7R 多層陶瓷片式電容器 (MLCC) 現(xiàn)可提供可選聚合體端子。該器件專為耐受較高機(jī)械應(yīng)用而設(shè)計(jì)，旨在減少機(jī)械破碎相關(guān)的電容器故障。

2008-09-19

VJ0805 VJ1206 VJ1210 VJ1808 VJ1812 MLCC 多層陶瓷片式電容器

微特電機(jī) 變生產(chǎn)大國為技術(shù)強(qiáng)國

近幾年，我國微特電機(jī)行業(yè)有了長足的發(fā)展，尤其在長江三角洲、珠江三角洲、環(huán)渤海三大地區(qū)已經(jīng)形成我國微特電機(jī)的重要生產(chǎn)基地和出口基地。我國已經(jīng)成為世界微特電機(jī)的生產(chǎn)大國。

2008-09-18

微特電機(jī)

VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻

Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業(yè)級別絕對 TCR、在 +25°C 時(shí)最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優(yōu)越功率系數(shù)（“自身散熱產(chǎn)生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。

2008-09-17

電阻 VPR221Z VPR221SZ

我國遭美"337調(diào)查" LED企業(yè)上升至10家

2008年8月30日，我國又有6家LED企業(yè)即半導(dǎo)體照明企業(yè)，被控涉嫌專利侵權(quán)而將面臨美國國際貿(mào)易委員會(U.S.ITC)的“337調(diào)查”。加上此前已有6家中國大陸LED企業(yè)被起訴且其中4家被列入ITC“337調(diào)查”名單，今年以來，我國已有12家LED企業(yè)遭遇海外知識產(chǎn)權(quán)糾紛(不包括我國臺灣地區(qū)企業(yè))。

2008-09-16

知識產(chǎn)權(quán) LED Rothschild 337調(diào)查

中能打破多晶硅技術(shù)壟斷成中國硅料第一股

紐約證券交易所前不久突然發(fā)布了一則令全球光伏行業(yè)為之震動(dòng)的消息，總部位于香港的太陽能硅芯片供應(yīng)商協(xié)鑫硅業(yè)(GCL)已向美國證券交易委員會(SEC)遞交了IPO 申請，而這家公司的業(yè)務(wù)主體正是江蘇中能。

2008-09-11

多晶硅

南方芯源在西安成立研發(fā)中心西安芯派

2008年8月18日，Samwin公司投資發(fā)起設(shè)立的西安芯派科技有限公司正式成立，主要從事MOSFET全新溝通工藝，電源管理IC及射頻技術(shù)應(yīng)用三個(gè)方面的產(chǎn)品研發(fā)。該中心的成立將進(jìn)一步提高Samwin產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)度。

2008-08-20

西安芯派 Samwin MOSFET 南方芯源

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