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更小巧、更輕便、更低溫——IR GaN功率器件帶動(dòng)功率技術(shù)革命

GaN技術(shù)平臺(tái)開創(chuàng)行業(yè)先河，是IR研發(fā)部門基于IR專利的GaN-on-Si硅上氮化鎵異質(zhì)外延技術(shù)，經(jīng)過5年精心研究的成果。高生產(chǎn)量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關(guān)的器件制造工藝，完全符合IR具備成本效益的硅制造設(shè)施，可為客戶提供世界級的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺(tái)。

2010-03-15

輕便低溫 IR GaN 功率器件革命

TDK-EPC 開發(fā)并量產(chǎn)SMD型LAN用脈沖變壓器

特別在使用于模塊(module)的情況下，敝社以往的產(chǎn)品在裝載時(shí)，基板與脈沖變壓器是先通過手動(dòng)方式進(jìn)行配線處理。然后，為保持其安定性還需要使用樹脂來固定基板和零件。而該SMD型新產(chǎn)品，可利用回流(reflow)方式一次完成基板裝載,從而可以簡化生產(chǎn)工序。

2010-03-15

電感器 SMD LAN 脈沖變壓器

中國制定太陽能光伏政策要考慮國情

對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，在過去的 5年中出現(xiàn)了新的趨勢，即半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展主要是由消費(fèi)者來推動(dòng)的,消費(fèi)者是真正的推動(dòng)力?，F(xiàn)在半導(dǎo)體市場的發(fā)展很大程度上依賴于手持設(shè)備，比如智能手機(jī)、運(yùn)行Win7的筆記本電腦和其他新潮熱門的產(chǎn)品等。只有消費(fèi)者和企業(yè)喜歡購買有吸引力的IT設(shè)備和有特色的產(chǎn)品，才能促...

2010-03-15

應(yīng)用材料太陽能光伏政策

IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET

這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅技術(shù)，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗。

2010-03-15

IR MOSFET HEXFET 硅技術(shù) 導(dǎo)通電阻

元件價(jià)格走勢更新，商品IC供應(yīng)保持緊張

這是指在可預(yù)見的將來，庫存將保持精簡。許多供應(yīng)商對于目前的庫存水平感到非常滿意，盡管iSuppli公司追蹤的十分之九的供應(yīng)鏈節(jié)點(diǎn)庫存天數(shù)(DOI)仍接近歷史低位。只有電子制造服務(wù)(EMS)提供商的庫存出現(xiàn)增長。

2010-03-12

元件價(jià)格走勢 IC供應(yīng) 緊張

iSuppli預(yù)計(jì)2010年全球半導(dǎo)體營收達(dá)2797億美元

據(jù)iSuppli公司預(yù)測，2010年全球半導(dǎo)體營業(yè)收入預(yù)計(jì)將達(dá)到2797億美元，雖然這比2009年的2300億美元大增21.5%，但與2008年的2589億美元相比僅增長8%，而與2007年的2734億美元相比，增長率只有區(qū)區(qū)的2.3%。

2010-03-12

iSuppli 半導(dǎo)體營業(yè)收入反彈

Power Integrations新推出的TOPSwitch-JX系列電源轉(zhuǎn)換IC

由于采用全新的多周期調(diào)制模式，使得電源在空載條件下具有出色的輕載效率和低功耗，既可降低平均開關(guān)頻率，又可減小輸出紋波和音頻噪聲。因此，設(shè)計(jì)出的電源不僅可以輕松滿足包括ENERGY STAR?和歐盟委員會(huì)用能產(chǎn)品生態(tài)設(shè)計(jì)指令在內(nèi)的要求嚴(yán)格的最新能效規(guī)范，同時(shí)還可維持穩(wěn)定的輸出電壓。使用TOPSw...

2010-03-11

Power Integrations TOPSwitch-JX 電源轉(zhuǎn)換 IC

飛兆半導(dǎo)體推出帶USB/充電器檢測功能的便攜應(yīng)用過電壓保護(hù)器件

FAN3988具備內(nèi)置自動(dòng)檢測功能，器件通過連續(xù)監(jiān)控短路條件下的D+ / D-線，能夠感測是否連接USB充電器。此外，器件還通過監(jiān)控VBUS來感測過壓或者欠壓狀況。當(dāng)達(dá)到過壓閾值時(shí)，F(xiàn)AN3988立即禁用外部P溝道MOSFET。這些功能減小了設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，并省去外部電路，節(jié)省了線路板空間。這款新型OVP器件是滿足...

2010-03-11

飛兆 USB/充電器便攜過電壓保護(hù)器件

從基礎(chǔ)到應(yīng)用全面解析無鉛焊接工藝技術(shù)

在電子制作過程中，焊接工作是必不可少的。它不但要求將元件固定在電路板上，而且要求焊點(diǎn)必須牢固、圓滑，所以焊接技術(shù)的好壞直接影響到電子制作的成功與否。而鉛（Pb），是一種有毒的金屬，對人體有害。本次半月談我們將關(guān)注無鉛焊接工藝技術(shù)的行業(yè)現(xiàn)狀，無鉛焊接工具產(chǎn)品的創(chuàng)新，無鉛焊接工藝的...

2010-03-11

基礎(chǔ) 無鉛焊接焊接工藝技術(shù) 測試工作坊

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