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測試測量

MIMO 雷達(dá)系統(tǒng)測試工具和技術(shù)

多輸入多輸出 (MIMO) 等現(xiàn)代技術(shù)要求寬帶寬、相位一致和多通道分析。MIMO 雷達(dá)系統(tǒng)中的天線元獨(dú)立運(yùn)行，可覆蓋較寬（通常為 180 度）的視場，無需進(jìn)行定向調(diào)整。因此，掃描時(shí)間顯著縮短。MIMO 雷達(dá)利用時(shí)間、頻率或編碼技術(shù)，在接收器元素中對每個(gè)發(fā)射信號進(jìn)行區(qū)分，從而提取目標(biāo)屬性。

2024-02-22

MIMO 雷達(dá)系統(tǒng) 測試工具

為刻蝕終點(diǎn)探測進(jìn)行原位測量

半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進(jìn)的刻蝕設(shè)備和技術(shù)來實(shí)現(xiàn)圖形的微縮與先進(jìn)技術(shù)的開發(fā)。隨著半導(dǎo)體器件尺寸縮減、工藝復(fù)雜程度提升，制造工藝中刻蝕工藝波動的影響將變得明顯。刻蝕終點(diǎn)探測用于確定刻蝕工藝是否完成、且沒有剩余材料可供刻蝕。這類終點(diǎn)探測有助于最大限度地減少刻蝕速率波動的影響。

2024-01-22

刻蝕設(shè)備傳感器計(jì)量學(xué)測量

2024廣州國際新能源汽車功率半導(dǎo)體技術(shù)展5月與您相約廣州保利世貿(mào)博覽館

隨著汽車行業(yè)向更可靠、更高效、更安全、更智能的方向發(fā)展，半導(dǎo)體在汽車中的應(yīng)用得到了極大的發(fā)展，加之車載信息娛樂和連接功能的日益普及，電動汽車（EV）的需求將會不斷增長，車輛中電子系統(tǒng)的集成度不斷提高以及自動駕駛技術(shù)的進(jìn)步，都在推動汽車半導(dǎo)體行業(yè)散發(fā)巨大的潛力。

2024-01-15

新能源汽車功率半導(dǎo)體廣州保利世貿(mào)博覽館

如何使用單對以太網(wǎng)實(shí)施基于狀態(tài)的監(jiān)控

在工廠自動化和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT) 中，通過基于狀態(tài)的監(jiān)控 (CbM) 可深入了解資產(chǎn)的健康狀況，從而增加正常運(yùn)行時(shí)間并提高生產(chǎn)率，降低維護(hù)成本，延長資產(chǎn)壽命并確保工人安全。雖然傳感器、診斷算法、處理能力方面的進(jìn)步以及人工智能 (AI) 和機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 技術(shù)的應(yīng)用正在使 CbM 變得更加有用，但缺...

2024-01-08

以太網(wǎng) 狀態(tài)監(jiān)控

項(xiàng)目申報(bào)｜最高800萬！2023年度晉江市引進(jìn)高層次人才團(tuán)隊(duì)申報(bào)已開啟

為深入實(shí)施科技強(qiáng)市、人才強(qiáng)市戰(zhàn)略，吸引海內(nèi)外優(yōu)秀人才帶團(tuán)隊(duì)、項(xiàng)目、技術(shù)前來晉江創(chuàng)業(yè)，引育一批具有自主知識產(chǎn)權(quán)的科技成果產(chǎn)業(yè)化落地，2023年度晉江市引進(jìn)高層次人才團(tuán)隊(duì)申報(bào)正式啟動啦！

2023-12-22

晉江市引進(jìn)高層次人才團(tuán)隊(duì)

使用補(bǔ)償 IC 測量流體流量

通過微機(jī)電系統(tǒng)和兩個(gè)壓力傳感器補(bǔ)償集成電路 (IC) 演示了用于生化和醫(yī)療目的的微流體流量測量。流體的流速可以通過精密加工通道上的壓降來確定。整個(gè)組件安裝在一個(gè)小型陶瓷混合組件上。

2023-12-14

IC測量流體流量

三線制PT100測溫容易忽略的設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)

高精度三線制PT100測溫電路容易遇到PCB走線電阻差異導(dǎo)致的測量精度下降問題，看似簡單的走線，可能引入0.1℃及以上偏差。本文進(jìn)行量化分析，并探討相應(yīng)的解決方法。

2023-11-27

三線制 PT100 測溫電路

NTCRP的絕緣電阻和耐壓如何測試？

TDK的NTCRP系列（NTC熱敏電阻）廣泛應(yīng)用于各種可靠性要求較高的應(yīng)用中，包括電動汽車的驅(qū)動電機(jī)和電池、工業(yè)設(shè)備的溫度檢測等。而嚴(yán)格的絕緣電阻和絕緣耐壓測試是保障用戶使用安全性和可靠性的重要措施。

2023-11-19

NTCRP 絕緣電阻測試

使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝

隨著技術(shù)推進(jìn)到1.5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，后段器件集成將會遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強(qiáng)化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實(shí)現(xiàn)具有挑戰(zhàn)性的制造工藝，需要進(jìn)行工藝調(diào)整。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，我們嘗試在1.5nm節(jié)點(diǎn)后段自對準(zhǔn)圖形化中使用半大馬士革方法。我們在imec生產(chǎn)...

2023-11-16

半大馬士革后段器件

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