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能源電力

ESP200:西門(mén)子推出過(guò)載繼電器

西門(mén)子能源與自動(dòng)化公司宣布，該公司為工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用推出自供電ESP200過(guò)載繼電器，從而取代先前推出的ESP100過(guò)載繼電器。基于西門(mén)子公司在數(shù)以百萬(wàn)的電機(jī)的過(guò)載保護(hù)獲得的成功的NEMA啟動(dòng)器經(jīng)驗(yàn)，這種新型過(guò)載繼電生產(chǎn)線在設(shè)計(jì)上將可以在可靠的在最需要應(yīng)用環(huán)境下使用。

2009-10-13

西門(mén)子繼電器

FSA800：飛兆半導(dǎo)體公司推出業(yè)界最小USB附件開(kāi)關(guān)產(chǎn)品

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)為手機(jī)、PDA和MP3播放器設(shè)計(jì)人員提供全新USB附件開(kāi)關(guān)產(chǎn)品FSA800。FSA800是業(yè)界最小的器件，將所有主要的多媒體功能集成進(jìn)薄型UMLP封裝(1.8mm x 2.6mm x 0.55mm)中。它具有內(nèi)置充電檢測(cè)功能、28V的過(guò)壓容差、內(nèi)置終止電阻器，以及負(fù)擺幅功能。通過(guò)在緊湊型...

2009-10-12

飛兆 FSA800 最小開(kāi)關(guān)產(chǎn)品

臺(tái)灣首例氮化鋁投資 LED成本降3成

臺(tái)灣國(guó)立成功大學(xué)和金鋁公司今天簽約共同投資生產(chǎn)氮化鋁，也是臺(tái)灣第一個(gè)氮化鋁產(chǎn)業(yè)；金鋁公司表示，臺(tái)灣氮化鋁都是從國(guó)外進(jìn)口，國(guó)內(nèi)產(chǎn)製后，氮化鋁成本預(yù)估降低3成。

2009-10-12

臺(tái)灣金鋁氮化鋁國(guó)立成功大學(xué)

電源及控制電路是半導(dǎo)體照明的關(guān)鍵

目前發(fā)展半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的問(wèn)題是：LED燈具用電源和控制電路、LD(半導(dǎo)體激光器)照明和半導(dǎo)體照明配套政策必須引起我們的高度重視。

2009-10-12

LED LD 照明

燃料電池的發(fā)展

隨著電子產(chǎn)品小型化的進(jìn)展，當(dāng)前鋰離子電池的能量密度，已經(jīng)不能滿足便攜式筆記本電腦、移動(dòng)電話、PDA等電子設(shè)備的要求了?；跉錃獾娜剂想姵孛摲f而出?，F(xiàn)在它已從早期的能量密度50～80W?h/kg提高到1000W?h/kg，比當(dāng)前流行的鋰離子電池能量密度150～300W?h/kg高出了許多。1OZ（盎司，=28.35g）燃料...

2009-10-12

燃料電池 SmartFuelCell 質(zhì)子交換膜甲醇燃料電池

京瓷愛(ài)克正式發(fā)布0.5mm間距浮動(dòng)式板對(duì)板連接器

5668系列產(chǎn)品為京瓷愛(ài)克股份有限公司新推出的0.5mm引腳間距浮動(dòng)式板對(duì)板連接器，現(xiàn)已量產(chǎn)并開(kāi)始對(duì)市場(chǎng)銷(xiāo)售。 “5668系列”為間距0.5mm、嵌合高度12.0mm、SMT（表面貼裝）、浮動(dòng)式板對(duì)板連接器。該系列產(chǎn)品特點(diǎn)是可在X、Y方向進(jìn)行±0.5mm的移動(dòng)。此外，最多可達(dá)100pin,并采用窄形的設(shè)計(jì)，并比以往產(chǎn)...

2009-10-12

京瓷愛(ài)克 0.5mm 板對(duì)板連接器

增強(qiáng)型VTAZ系列:Vishay推出超高精度Bulk Metal? Z箔軸向電阻

Vishay推出增強(qiáng)型VTAZ系列超高精度Bulk Metal? Z箔軸向電阻,該電阻的改進(jìn)可直接替代所有領(lǐng)域的線繞電阻，在精度和穩(wěn)定性方面可直接替代薄膜電阻。

2009-10-12

Vishay VTAZ Bulk Metal 軸向電阻

293D系列/TR3:Vishay發(fā)布新款63V固鉭貼片電容器

Hi-Rel COTS的T83、低ESR 的TR3和標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)級(jí)的293D固鉭貼片電容器的額定電壓提高至63V，并可滿足+28V電源的降額要求

2009-10-12

Vishay T83 TR3 固鉭貼片

中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)好于全球 09年規(guī)模為682億美元

受經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)2009年將下降16.2%到2295億美元。但是在出口增長(zhǎng)和內(nèi)需拉到的雙重作用下，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)在2010年成長(zhǎng)了17.8%,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)2010年也將增長(zhǎng)了13.7%到2610億美元。

2009-10-12

半導(dǎo)體經(jīng)濟(jì)危機(jī)

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