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電路保護(hù)

1005尺寸1uH多層片式功率電感器今年7月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

TDK號(hào)稱推出世界最小尺寸1.0×0.5×0.7（mm）多層片式1uH電感，并于今年7月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。但筆者查了一下，Bourns已做出比這更小的多層片式電感（1.0×0.5×0.5mm），只不過電感量只有0.1uH，最大額定電流300mA。

2013-07-22

1uH電感功率電感器 TDK Bourns

“自家中毒”如何解？村田帶來PMIC的雜波對(duì)策技術(shù)

擁有無線通信設(shè)備的便攜式終端上，出現(xiàn)因PMIC的雜波引起的系統(tǒng)內(nèi)EMC的問題，因此雜波對(duì)策必不可少。本文中介紹了有關(guān)系統(tǒng)內(nèi)EMC的PMIC的雜波對(duì)策，以及使用雜波對(duì)策元器件時(shí)的注意事項(xiàng)及對(duì)策事例。

2013-07-20

EMC PMIC 雜波對(duì)策雜波

占板面積小巧的電路保護(hù)高性能替代方案

汽車和工業(yè)應(yīng)用中的電源系統(tǒng)常用的保護(hù)方案是使用一個(gè)串聯(lián)的鐵芯電感器和高值電解旁路電容器，并輔之以一個(gè)高功率瞬態(tài)電壓抑制器和熔絲。這種笨拙的方法占用了大量的電路板面積，本文介紹的用于負(fù)載保護(hù)和輸出保持的完整控制解決方案，其占板面積小巧，并免除了龐大笨重的組件和不希望有的電壓降。

2013-07-19

電路保護(hù) 保護(hù) LTC4364 二極管

機(jī)頂盒常見接口的ESD保護(hù)設(shè)計(jì)

隨著機(jī)頂盒技術(shù)的發(fā)展，如今的機(jī)頂盒在數(shù)據(jù)支持上能完成諸多高清，交互，多模，多格式的解碼。而在接口方面，一般都能夠支持 USB、HDMI、以太網(wǎng)接口、硬盤接口等，但是也帶來了諸多對(duì)不同接口保護(hù)的要求。本文將針對(duì)機(jī)頂盒上常見的接口進(jìn)行相應(yīng)的電路保護(hù)設(shè)計(jì)。

2013-07-18

機(jī)頂盒 ESD 接口保護(hù)器件電路保護(hù)

設(shè)計(jì)新思路：電子通訊產(chǎn)品ESD防護(hù)設(shè)計(jì)

對(duì)于電子通訊產(chǎn)品而言，靜電有著極大的危害，因此，做好電子通訊產(chǎn)品ESD防護(hù)設(shè)計(jì)十分重要并且必不可少。本文分析了 ESD的危害以及一些ESD防護(hù)方案的缺陷并提出了新的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)策略。

2013-07-17

ESD 靜電防護(hù) ESD防護(hù) 電子通訊

設(shè)計(jì)技巧：RF電路與天線的EMC設(shè)計(jì)

電磁干擾在電子系統(tǒng)與設(shè)備中無處不在，因此如何使電子系統(tǒng)與設(shè)備滿足電磁兼容（EMC）的要求是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。隨著射頻和微波領(lǐng)域的高速發(fā)展，工程師們也越來越關(guān)注RF電路設(shè)計(jì)技巧…

2013-07-10

RF 電磁干擾 EMC 干擾射頻

很貴很脆弱？數(shù)字邏輯器件的保護(hù)該這樣做！

中間電源總線上輸入浪涌、在制造過程中混入水貨或假冒電容器……總是很容易使昂貴的新型數(shù)字處理器面臨過壓風(fēng)險(xiǎn)，甚至使 FPGA、ASIC 或微處理器遭受永久性損壞或起火。不想遭遇這些損失？本文教你一個(gè)簡單的方法。

2013-07-05

數(shù)字邏輯器件保護(hù) 器件保護(hù) 電路保護(hù)

如何使用數(shù)字隔離器簡化隔離系統(tǒng)設(shè)計(jì)

工業(yè)環(huán)境中的測(cè)量器件往往需要進(jìn)行隔離以確保安全。利用數(shù)字隔離器，可以優(yōu)化隔離系統(tǒng)設(shè)計(jì)、降低功耗、保證系統(tǒng)性能，同時(shí)無需借助額外的設(shè)計(jì)裕量來補(bǔ)償缺失或不完整的器件規(guī)格。本文將介紹使用數(shù)字隔離器進(jìn)行隔離測(cè)量儀器的設(shè)計(jì)。

2013-07-03

隔離隔離器隔離系統(tǒng) 數(shù)字隔離器

SiC和GaN，新興功率器件如何選？

新興的SiC和GaN功率器件市場未來10年預(yù)計(jì)增長18倍，主要需求市場是電源、光伏逆變器和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)。SiC肖特基二極管已經(jīng)有10年以上歷史，但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出現(xiàn)，GaN功率器件更是剛剛才在市場上出現(xiàn)。他們誰會(huì)成為未來新興功率器件市場的主角？我們現(xiàn)在應(yīng)該選用他們嗎？

2013-06-19

功率器件 SiC BJT SiC

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