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電路保護(hù)

ESR 對陶瓷電容器選擇的影響（上）

在理想化的情境下，電容器的設(shè)計理論上可以追求零電阻狀態(tài)。然而，這在物理現(xiàn)實(shí)中無法實(shí)現(xiàn)，因為電容器內(nèi)部總會不可避免地存在一種與電容本身串聯(lián)的內(nèi)部電阻，即所謂的等效串聯(lián)電阻（ESR）。不同類型的電容器，其ESR值會有所差異，這一差異受多種因素的綜合影響，如介電材料的選用、操作頻率的高低...

2025-01-02

ESR 陶瓷電容器

電感器輸出，運(yùn)算放大器輸入：二階有源濾波器簡介

有源濾波器當(dāng)然有其優(yōu)點(diǎn)。適用于一階和二階濾波器的突出的優(yōu)點(diǎn)是改進(jìn)的阻抗特性。運(yùn)算放大器提供高輸入阻抗和低輸出阻抗，因此當(dāng)輸入信號具有相對較高的源阻抗或輸出信號必須驅(qū)動相對較低的負(fù)載阻抗時，基于運(yùn)算放大器的有源濾波器可以優(yōu)于無源實(shí)現(xiàn)。

2025-01-02

電感器運(yùn)算放大器二階有源濾波器

自耦變壓器的構(gòu)造和操作

變壓器通常包含兩個獨(dú)立的電路。這包括從電源接收能量的初級繞組和將能量傳遞到負(fù)載的次級繞組。自耦變壓器是初級和次級電路的兩個繞組的一部分是共用的變壓器。自耦變壓器的額定功率高于同等的雙繞組變壓器。

2025-01-02

自耦變壓器

低功率開關(guān)電容器帶隙，第 2 部分

在本期文章中，對傳統(tǒng)的帶隙電路進(jìn)行了誤差分析，然后解釋了如何使用開關(guān)電容電路將這些誤差降至。圖 1 顯示了傳統(tǒng)的帶隙參考實(shí)現(xiàn)方案及其相關(guān)的誤差源。

2024-12-31

開關(guān)電容器

消除電刷、降低噪音：ROHM 的新型電機(jī)驅(qū)動器 IC

典型的有刷直流電機(jī)是一種非常方便但噪音很大的設(shè)備。電刷實(shí)現(xiàn)極性反轉(zhuǎn)，也稱為“換向”，這樣您只需施加恒定的直流電壓即可使電機(jī)轉(zhuǎn)動。但與這些電刷相關(guān)的突然連接和斷開會導(dǎo)致瞬態(tài)干擾，從而影響連接到電機(jī)的電路（通過標(biāo)準(zhǔn)傳導(dǎo)路徑）以及附近的組件（通過 EMI）。

2024-12-29

消除電刷噪音 ROHM 電機(jī)驅(qū)動器 IC

ADC 總諧波失真

了解了 ADC 中的缺失代碼如何導(dǎo)致 ADC 輸出失真。這種失真將導(dǎo)致輸入信號的諧波出現(xiàn)在 ADC 的輸出中。雖然具有缺失代碼的 ADC 確實(shí)會產(chǎn)生大量諧波失真，但缺失代碼并不是諧波失真的來源。 ADC 輸出中的諧波失真是由 ADC 特性中存在的任何非線性引起的。每個實(shí)用的 ADC 都具有非線性特性。因此，每個...

2024-12-25

ADC 總諧波失真

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流

功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

2024-12-25

功率器件熱設(shè)計瞬態(tài)熱阻二極管浪涌電流

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（九）——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散

任何導(dǎo)熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理說，銅基板也會有額外的熱阻，那為什么實(shí)際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢？這是因為熱的橫向擴(kuò)散帶來的好處。

2024-12-22

功率器件熱設(shè)計功率半導(dǎo)體模塊熱擴(kuò)散

準(zhǔn) Z 源逆變器的設(shè)計

qZSI 旨在解決與可再生能源中電壓范圍受限相關(guān)的挑戰(zhàn)，與 CSI 和 VSI 等傳統(tǒng)逆變器拓?fù)洳煌?，qZSI 可以處理功率波動。qZSI 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)增強(qiáng)了對突然電壓尖峰等故障的容忍度，從而提高了電壓轉(zhuǎn)換的整體效率和可靠性。QZSI 是從 Z 源逆變器（ZSI）拓?fù)溲葑兌鴣淼?，允許在一個階段進(jìn)行升壓和降壓操作。

2024-12-22

逆變器

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