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電路保護(hù)

IGBT 的工作原理是什么?

IGBT 的等效電路如圖1 所示。由圖1 可知,若在IGBT 的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET 導(dǎo)通,這樣PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT 的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET 截止,切斷PNP 晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。

2020-02-24

GBT 等效電路

普通的5V電源電路，如何設(shè)計(jì)它的限流功能？

雖然這些78M05、LM2734以及ME2108型號(hào)的電源芯片設(shè)計(jì)方案，都能滿足5.0V的電壓輸出要求，但卻有一個(gè)功能無法提供，即無法控制電源的輸出電流大小，以達(dá)到限流的效果。

2020-02-24

5V電源電路限流

SiC 在電動(dòng)車功率轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

電動(dòng)車 (EV) 的發(fā)貨量正在迅速增長，預(yù)計(jì) 21 世紀(jì) 20 年代還將加速發(fā)展。主要汽車制造商都已經(jīng)推出了電動(dòng)車或已制定了推出計(jì)劃，它們還積極與伙伴合作，研究最佳的動(dòng)力電子學(xué)方案，從而盡量延長單次充電行駛里程和降低成本。

2020-02-24

SiC 電動(dòng)車功率轉(zhuǎn)換

電路設(shè)計(jì)中如何防止靜電放電？

我們的手都曾有過靜電放電(ESD)的體驗(yàn)，即使只是從地毯上走過然后觸摸某些金屬部件也會(huì)在瞬間釋放積累起來的靜電。我們許多人都曾抱怨在實(shí)驗(yàn)室中使用導(dǎo)電毯、ESD靜電腕帶和其它要求來滿足工業(yè)ESD標(biāo)準(zhǔn)。我們中也有不少人曾經(jīng)因?yàn)榇中拇笠馐褂梦词鼙Ｗo(hù)的電路而損毀昂貴的電子元件。

2020-02-21

電路設(shè)計(jì) 靜電放電

開關(guān)電源控制環(huán)路設(shè)計(jì)，新手必看！

環(huán)路是一個(gè)相對復(fù)雜繁瑣的問題，設(shè)計(jì)只是讓初學(xué)者能找到一條途徑，不需要過多的經(jīng)驗(yàn)就能弄出一個(gè)還不錯(cuò)的環(huán)路，避免了初期的盲目嘗試和拼湊。當(dāng)然因?yàn)檫@個(gè)設(shè)計(jì)是停留在理論上的，一定要在實(shí)際的應(yīng)用環(huán)境電路中去驗(yàn)證，調(diào)試，修改，直至滿足電路指標(biāo)要求，避免紙上談兵。

2020-02-20

開關(guān)電源控制環(huán)路

一文全面了解三極管

這里講解三極管的發(fā)明史、核心結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)示意圖、制造流程、結(jié)構(gòu)切面圖、工藝結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、電路符號(hào)、電流控制原理示意圖、基本電路等，讓大家全面了解三極管。

2020-02-20

三極管

碳化硅MOS管圖文詳解

由SiC制作的MOSFET耐壓高，或者在同樣的耐壓要求下，MOSFET的尺寸就小，從而大大降低了MOS管的導(dǎo)通電阻和傳熱熱阻。使用SiC制作的MOSFET在近期在大功率、高電壓、高頻率應(yīng)用越來越廣泛。以下給大家以圖文的形式講解碳化硅MOS管長啥樣的？

2020-02-20

碳化硅 MOS管

圖文講解三相整流電路的原理及計(jì)算，工程師們表示秒懂！

單向整流電路應(yīng)用在負(fù)載功率需求較小的場合，一般不超過1KW。而在機(jī)電產(chǎn)品中，有很多設(shè)備需要較大功率的直流供電電壓，這就要采用三相整流電路。比如電弧焊機(jī)，它使用直流電壓來實(shí)現(xiàn)金屬焊接，其輸出功率在幾千瓦~幾百千瓦，由于功率較大，一般采用三相整流電路來提供大功率直流電壓輸出。

2020-02-19

三相整流電路電弧焊機(jī) 金屬焊接

功率MOSFET損壞模式及分析

本文結(jié)合功率MOSFET管失效分析圖片不同的形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中，發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效是在關(guān)斷還是在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。

2020-02-18

功率MOSFET 過流過壓線性區(qū) 過電性應(yīng)力

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