【導(dǎo)讀】"總柵極電荷（Qg）是指為導(dǎo)通（驅(qū)動）MOSFET而注入到柵極電極的電荷量。 有時也稱為柵極總電荷。"單位為庫侖（C），總柵極電荷值較大，則導(dǎo)通MOSFET所需的電容充電時間變長，開關(guān)損耗增加。數(shù)值越小，開關(guān)損耗（切換損耗）越小，從而可實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)。
"總柵極電荷（Qg）是指為導(dǎo)通（驅(qū)動）MOSFET而注入到柵極電極的電荷量。 有時也稱為柵極總電荷。"單位為庫侖（C），總柵極電荷值較大，則導(dǎo)通MOSFET所需的電容充電時間變長，開關(guān)損耗增加。數(shù)值越小，開關(guān)損耗（切換損耗）越小，從而可實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)。
總柵極電荷和導(dǎo)通電阻
如上所述，總柵極電荷的值越小，開關(guān)損耗越小。而且，導(dǎo)通電阻值越小，工作時的功耗越小。
然而，總柵極電荷和導(dǎo)通電阻的特性處于權(quán)衡關(guān)系。
通常，MOSFET的芯片尺寸（表面積）越小，總電荷量越小，但導(dǎo)通電阻值會變大。
換句話說，開關(guān)損耗與工作時的功耗之間存在權(quán)衡關(guān)系。
動態(tài)輸入特性
動態(tài)輸入特性
該圖為動態(tài)輸入（Qg –VGS）的特性例。
在圖中，常溫下的漏極側(cè)電源電壓（VDD ）和漏極電流（ID ）是固定特性， VDD = 300 V ， ID = 30A 時所需的最小電荷量約為60nC。此時的柵源電壓 （VGS ） 為6.5V。
實(shí)際上是在MOSFET完全導(dǎo)通的情況下，調(diào)整有權(quán)衡關(guān)系的導(dǎo)通電阻值，從而設(shè)定柵源電壓（VGS ） 。
此時，可從圖表讀取設(shè)定電壓和總柵極電荷（Qg）（例如， VGS = 10 V 時為85nC ， VGS = 15V 時為 130nC ）。
文章來源：羅姆
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