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互連技術

如何理解FIT和MTBF

在我們的日常工作中，經常會碰到器件失效或系統(tǒng)故障，這時為了清楚界定失效事件的嚴重性，就需要定量的來描述具體的失效率，這就需要用專業(yè)的術語來溝通，而有的工程師喜歡談FIT，有的工程師喜歡談MTBF，其實這兩個概念所描述的主體是不一樣的，因此有必要在此簡析一下。

2021-08-20

FIT MTBF

康普觀點：構建合適的 Wi-Fi 6 基礎設施至關重要

數(shù)字化一直是推動著后疫情時期許多機構反彈回升的關鍵使能因素，在推動復蘇的進程中，最具變革性的可能要屬互聯(lián)設備的指數(shù)級采用。亞太地區(qū)在此趨勢中居于領先，據(jù)行業(yè)報告預測，到 2026 年，區(qū)域物聯(lián)網(wǎng)（IoT）市場將呈指數(shù)級增長，達到 4,370 億美元。然而，當前的 Wi-Fi 連接標準可能無法提供足夠...

2021-08-19

康普 Wi-Fi 6 基礎設施

IOTE 2021第十六屆國際物聯(lián)網(wǎng)—深圳站

IOTE 2021第十六屆國際物聯(lián)網(wǎng)展·深圳站，是一個關于物聯(lián)網(wǎng)完整產業(yè)鏈，覆蓋物聯(lián)網(wǎng)感知層、網(wǎng)絡層、運算與平臺層、應用層，涉及RFID（無線射頻識別）技術、傳感網(wǎng)技術、物聯(lián)網(wǎng)通信技術、金融消費移動支付技術、中間件的精確控制技術、大數(shù)據(jù)處理、AIoT、云計算、邊緣計算、實時定位技術等物聯(lián)網(wǎng)技術...

2021-08-17

國際物聯(lián)網(wǎng) 智能家居智能電網(wǎng) AIoT

大功率晶閘管參數(shù)解析之正向特性

功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關、SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。

2021-08-16

大功率晶閘管正向特性

功率因素校正電路PFC電感旁路二極管的作用

本文總結了功率因素校正電路PFC電感加旁路二極管作用的幾種不同解釋：減少主二極管的浪涌電流；提高系統(tǒng)抗雷擊的能力；減少開機瞬間系統(tǒng)的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。

2021-08-13

電路PFC電感旁路二極管

使用低功耗藍牙，擺脫線纜束縛

隨著對附加傳感器、智能顯示器以及與外界聯(lián)系能力的需求不斷加強，設備和機器朝著更智能的方向發(fā)展。伴隨這些功能而來的是復雜度增加。由于設備出現(xiàn)故障時，需要打開設備或連接到端口進行問題診斷，這會造成防水難度增加、產品成本和設備的維修成本增加等多重局限。很多時候，由于成本或結構尺寸因...

2021-08-13

低功耗藍牙應用案例

吉時利和Initial State全新方案，在家即可分析DAQ/DMM數(shù)據(jù)

我記得自己擔任高級項目經理那會兒，面對一個新產品開發(fā)環(huán)境，各個團隊都壓力山大，要為關鍵應用迅速推出優(yōu)質產品，因此生命周期測試成為必須。如果一項測試半夜里無聲無息中斷了，那絕對讓人深惡痛絕，因為它不僅浪費了我們寶貴的時間，還浪費了我們的測試裝備。我花了無數(shù)個小時，通過圖表理解數(shù)據(jù)。

2021-08-11

吉時利 Initial State DAQ/DMM數(shù)據(jù)

N溝道耗盡型功率MOSFET的電路應用

電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開關和高壓直流線路等應用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率MOSFET及其應用優(yōu)勢，以幫助設計人員在許多工業(yè)應用中選擇這些器件。

2021-08-10

N溝道功率MOSFET 電路應用

根據(jù) SCI 輸入信號自動校準波特率

本文檔概述了一種基于 SCI/UART 輸入信號，可以自動校準本設備SCI/UART波特率的方法，該方法適用與所有第三代C2000芯片，比如F2807x/37x，F(xiàn)28004x，F(xiàn)28002x等等。

2021-08-10

SCI輸入信號自動校準波特率

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