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互連技術(shù)

2022武漢國(guó)際電子元器件、材料及生產(chǎn)設(shè)備展覽會(huì)與您相約武漢

今年來(lái)，得益于中國(guó)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的大趨勢(shì)和中西部地區(qū)加速開(kāi)放，電子集群在中西部地區(qū)不斷崛起，電子信息產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為中西部地區(qū)多省市的支柱產(chǎn)業(yè)。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，形成了分布在湖北、四川、重慶、湖南、安徽、河南、西安等多個(gè)地區(qū)電子產(chǎn)業(yè)基地，在電子研發(fā)和制造方面也取得了長(zhǎng)足的發(fā)展，中高端...

2021-12-09

電子元器件電子元器件材料生產(chǎn)設(shè)備

大功率二極管晶閘管知識(shí)連載——損耗

功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態(tài)開(kāi)關(guān)，SVC和電解氫等場(chǎng)合，但大多數(shù)工程師對(duì)這類雙極性器件的了解不及對(duì)IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動(dòng)態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘來(lái)自英飛凌《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。

2021-12-09

大功率二極管晶閘管損耗

平衡精密數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的ADC尺寸、功耗、分辨率和帶寬

目前，工業(yè)產(chǎn)品趨向小型化發(fā)展，該趨勢(shì)為精密數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。設(shè)計(jì)人員必須平衡整個(gè)系統(tǒng)的解決方案尺寸和功耗，同時(shí)在更高的帶寬下實(shí)現(xiàn)更精確的信號(hào)測(cè)量并在此過(guò)程中進(jìn)行權(quán)衡。

2021-12-09

數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) ADC

如何使用具有集成400mV基準(zhǔn)的雙微功率比較器簡(jiǎn)化監(jiān)控器和控制功能？

LT6700雙比較器囊括了用于在空間因素至關(guān)重要的設(shè)計(jì)中減少元件數(shù)量的諸多特點(diǎn)，包括一個(gè)取自經(jīng)修整的片上400mV帶隙的基準(zhǔn)和內(nèi)部遲滯機(jī)制。LT6700還具有低壓微功率單電源操作(典型值為1.4V至18V、7μA)和Over-The-Top? I/O功能，旨在實(shí)現(xiàn)通用性的最大化，并提供特別適用于便攜式電池供電應(yīng)用的解決方...

2021-12-08

雙微功率比較器監(jiān)控器

MOSFET性能改進(jìn)：超級(jí)結(jié)MOSFET（SJ－MOS）

如果是D-MOS的情況，電場(chǎng)強(qiáng)度在P／N層接口處最強(qiáng)。當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)硅的極限時(shí)，會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象，這就是電壓極限。另一方面，如果是SJ-MOS的情況，電場(chǎng)強(qiáng)度在N層中是均勻的。

2021-12-08

MOSFET 超級(jí)結(jié)MOSFET

如何以經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的方式將 EtherNet/IP、EtherCAT 和 PROFINET 添加到自動(dòng)化工廠

自主工廠依賴于各個(gè)組件（如運(yùn)動(dòng)控制器和機(jī)器人）之間的實(shí)時(shí)通信，而且這種通信必須實(shí)時(shí)進(jìn)行。例如，100 英尺外的可編程邏輯控制器 (PLC) 向機(jī)器人發(fā)送的運(yùn)動(dòng)命令如果出現(xiàn)延遲，則可能會(huì)導(dǎo)致最終產(chǎn)品出現(xiàn)缺陷。

2021-12-08

EtherNet/IP EtherCAT PROFINET 自動(dòng)化工廠

SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時(shí)如何實(shí)現(xiàn)負(fù)壓？

現(xiàn)代工業(yè)對(duì)電力電子設(shè)備提出了很多要求：體積小、重量輕、功率大、發(fā)熱少。面對(duì)這些要求，Si MOSFET因Si材料自身的限制而一籌莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天優(yōu)勢(shì)開(kāi)始大顯神通。SiC MOSFET大規(guī)模商用唯一的缺點(diǎn)就是價(jià)格。

2021-12-07

SiC MOSFET 單電源正電壓 Si MOSFET

優(yōu)化信號(hào)鏈的電源系統(tǒng) — 第3部分：RF收發(fā)器

本文重點(diǎn)關(guān)注信號(hào)鏈的另一部分——RF收發(fā)器。本文將探討器件對(duì)來(lái)自各電源軌的噪聲的敏感度，確定哪些器件需要額外的噪聲濾波。本文提供了一種優(yōu)化的電源解決方案，并通過(guò)將其SFDR和相位噪聲性能與當(dāng)前PDN（當(dāng)連接到RF收發(fā)器時(shí)）進(jìn)行比較來(lái)進(jìn)一步驗(yàn)證。

2021-12-07

信號(hào)鏈電源系統(tǒng) RF收發(fā)器

第13屆年度DigiWish如愿以償活動(dòng)和節(jié)日禮物指南如期而至，Digi-Key請(qǐng)您查收！

Digi-Key推出其第 13 屆年度 DigiWish 如愿以償活動(dòng)和 2021 年節(jié)日禮物指南。節(jié)日將近，Digi-Key 正在幫助 24 位幸運(yùn)的獲獎(jiǎng)?wù)弑M早將項(xiàng)目從他們的愿望清單中劃掉，這些贈(zèng)品將在全球范激發(fā)許多新的創(chuàng)新，這是本司激勵(lì)和支持工程師并實(shí)現(xiàn)全球創(chuàng)新的持續(xù)使命的一部分。

2021-12-03

Digi-Key DigiWish 節(jié)日禮物指南

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