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AI&IoT

Digi-Key在2022年EDS領(lǐng)導(dǎo)力峰會(huì)上被供應(yīng)商授予了25項(xiàng)大獎(jiǎng)

全球供應(yīng)品類豐富、發(fā)貨快速的現(xiàn)貨電子元器件分銷商 Digi-Key Electronics 日前宣布在 5 月 10 日至 13 日于拉斯維加斯舉行的 2022 EDS 領(lǐng)導(dǎo)力峰會(huì)上獲得了供應(yīng)商授予的 25 項(xiàng)大獎(jiǎng)。這是對(duì) Digi-Key 在過去一年中的銷售業(yè)績(jī)、客戶服務(wù)、產(chǎn)品廣度、數(shù)字存在等方面成績(jī)的認(rèn)可。

2022-06-20

Digi-Key EDS領(lǐng)導(dǎo)力峰會(huì)

面對(duì)電磁輻射干擾，如何輕松進(jìn)行電子線路設(shè)計(jì)布局？

電磁環(huán)境包含輻射和傳導(dǎo)能量。EMC也包含輻射和敏感度兩方面。輻射是指產(chǎn)品不必要地產(chǎn)生電磁能量。為了打造一種具備電磁兼容性的環(huán)境，通常需要控制輻射。敏感度是一種用于衡量電子產(chǎn)品容忍其他電磁產(chǎn)品的輻射，或傳導(dǎo)電磁能量影響或其他電磁影響的能力指標(biāo)?？箶_度與敏感度相反。敏感度高的設(shè)備抗擾...

2022-06-20

電磁干擾電子線路設(shè)計(jì)布局

貿(mào)澤推出2022 Empowering Innovation Together系列第三期探索打造安全設(shè)計(jì)的重要性

2022年6月17日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布推出其備受好評(píng)的Empowering Innovation Together?計(jì)劃的新一期內(nèi)容。在“實(shí)現(xiàn)更高安全性的設(shè)計(jì)”這一期，貿(mào)澤探討了在設(shè)計(jì)過程中的每個(gè)階段融入安全性的重要性，從架構(gòu)選擇和組件挑...

2022-06-17

貿(mào)澤電子安全設(shè)計(jì)

凌華科技發(fā)布AES-100 邊緣智能服務(wù)器

中國(guó)上海 – 2022年6月16日，全球領(lǐng)先的邊緣計(jì)算解決方案提供商—凌華科技推出基于華為Ascend Atlas200的全新邊緣智能服務(wù)器AES-100，突破固有服務(wù)器的設(shè)計(jì)理念，采用分布式AI節(jié)點(diǎn)加彈性靈活的處理器設(shè)計(jì)方案，可在緊湊的1U空間內(nèi)布置多路邊緣處理單元，也可以根據(jù)場(chǎng)景和需求不同搭配不同的CPU模塊，...

2022-06-16

凌華科技 AES-100 服務(wù)器

如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響

在IGBT時(shí)代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無(wú)非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。

2022-06-15

SiC MOSFET 門極電壓

適合工業(yè)應(yīng)用的魯棒SPI/I2C通信

對(duì)于控制器和外設(shè)之間的短距離電路板內(nèi)連接，串行外設(shè)接口(SPI)和Inter-Integrated Circuit (I2C)接口是流行的事實(shí)上的通信標(biāo)準(zhǔn)。由于存在廣泛的硬件和軟件支持，SPI和I2C已被傳感器、執(zhí)行器和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器制造商廣泛采用。當(dāng)控制器和外設(shè)位于同一電路板上、共享同一接地層且相距不遠(yuǎn)（不大于1米）時(shí)...

2022-06-14

工業(yè)應(yīng)用 SPI ADI

手機(jī)無(wú)線充電器壞了

對(duì)于手邊的一款外部引線斷裂的蘋果手機(jī)無(wú)線充電器進(jìn)行拆卸，觀察其內(nèi)部電路工藝設(shè)計(jì)。但是由于電路上主要芯片型號(hào)文字顯示不清，故此對(duì)于其主要工作原理尚不清楚。

2022-06-14

手機(jī) 無(wú)線充電器

電解電容

在博文基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對(duì)于光耦前向耦合電流增益的特性進(jìn)行了討論。博文分別被公眾號(hào) TSINGHUAZHUOQING[2] 與電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。

2022-06-14

電解電容光耦振蕩電路

電解電容

2022-06-14

電解電容光耦振蕩電路

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