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電路保護(hù)

靜電放電保護(hù)器件種類與特點(diǎn)

靜電放電(ESD)是一種意外的快速高壓瞬態(tài)波形，出現(xiàn)在電路內(nèi)的導(dǎo)體上。ESD引起的高電壓和電流峰值可能導(dǎo)致靜電敏感IC等器件發(fā)生故障。人際接觸是ESD的常見(jiàn)來(lái)源。即使人與電路沒(méi)有直接接觸，電容式檢測(cè)開(kāi)關(guān)等器件也可以允許電荷耦合到電導(dǎo)體上。在ESD放電可能導(dǎo)致電路故障的情況下，需要ESD保護(hù)。

2022-07-14

靜電放電保護(hù)器件特點(diǎn)

貿(mào)澤電子連續(xù)第五年榮獲Littelfuse年度全球分銷商獎(jiǎng)

2022年6月30日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 榮獲Littelfuse頒發(fā)的2021年度全球卓越服務(wù)分銷商獎(jiǎng)。Littelfuse是一家致力于打造一個(gè)可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全世界的工業(yè)技術(shù)制造公司。這是貿(mào)澤連續(xù)第5年、歷年來(lái)第11次獲得這項(xiàng)...

2022-07-02

貿(mào)澤電子 Littelfuse 分銷商獎(jiǎng)

知名企業(yè)集結(jié)佛山引燃2022華南國(guó)際鋁工業(yè)展

中國(guó)國(guó)際鋁工業(yè)展首次移師落地廣東佛山。主辦方與中國(guó)有色金屬加工工業(yè)協(xié)會(huì)攜手在廣東潭洲國(guó)際會(huì)展中心舉辦“華南國(guó)際鋁工業(yè)展”，定檔2022年8月10-12日。結(jié)合地域資源，粵港澳國(guó)際化優(yōu)勢(shì)，本屆展會(huì)預(yù)計(jì)將有近300家知名企業(yè)聯(lián)袂展示鋁及鋁合金、鋁加工材、鋁制部件、制成品以及相關(guān)機(jī)械設(shè)備、輔料耗材...

2022-07-01

華南國(guó)際鋁工業(yè)展

貿(mào)澤電子榮獲Bourns 2021年度全球電子商務(wù)分銷商大獎(jiǎng)

2022年6月28日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics) ?自豪地宣布榮獲業(yè)界知名電子元件制造商和供應(yīng)商Bourns? Inc頒發(fā)的2021年度電子商務(wù)分銷商大獎(jiǎng)。這個(gè)大獎(jiǎng)旨在表彰貿(mào)澤通過(guò)其卓越的設(shè)計(jì)創(chuàng)新能力，在電子商務(wù)中取得的銷售成功和業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。

2022-07-01

貿(mào)澤電子 Bourns 分銷商大獎(jiǎng)

功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二：IGBT短路時(shí)的損耗

IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一，短路保護(hù)可以通過(guò)串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。

2022-06-17

功率半導(dǎo)體 IGBT 損耗

保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞

功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標(biāo)志。然而，越熟悉越容易大意。從統(tǒng)計(jì)的角度來(lái)看，單個(gè)MOSFET不太可能被靜電放電（ESD)損壞。然而，在處理成千上萬(wàn)個(gè)MOSFET時(shí)，極小的故障都可能帶來(lái)極大的影響。

2022-06-13

IGBT MOSFET ESD

保護(hù)USB Type-C連接器

今天的消費(fèi)者已經(jīng)很快地對(duì)采用 USB-C 或 USB-Type C 通信接口標(biāo)準(zhǔn)的移動(dòng)設(shè)備變得依賴——從智能手機(jī)和平板電腦到可穿戴設(shè)備和筆記本電腦。因此，設(shè)計(jì)針對(duì)靜電放電 (ESD) 和過(guò)熱條件的強(qiáng)大保護(hù)從未像現(xiàn)在這樣重要。

2022-06-07

電路保護(hù) USB Type-C 連接器

超級(jí)電容的幾種典型應(yīng)用介紹

智能電能表在電池故障或更換過(guò)程中，為保持其內(nèi)部RTC電路在指定的精度下持續(xù)工作，選用超級(jí)電容器作為RTC后備工作電源。

2022-06-06

超級(jí)電容

常見(jiàn)MOSFET失效模式的分析與解決方法

提高功率密度已經(jīng)成為電源變換器的發(fā)展趨勢(shì)。為達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，需要提高開(kāi)關(guān)頻率，從而降低功率損耗、系統(tǒng)整體尺寸以及重量。對(duì)于當(dāng)今的開(kāi)關(guān)電源(SMPS)而言，具有高可靠性也是非常重要的。零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS) 或零電流開(kāi)關(guān)(ZCS) 拓?fù)湓试S采用高頻開(kāi)關(guān)技術(shù)，可以大限度地降低開(kāi)關(guān)損耗。ZVS拓?fù)湓试S工作...

2022-06-01

MOSFET 失效模式解決方法

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靜電放電保護(hù)器件種類與特點(diǎn)

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功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二：IGBT短路時(shí)的損耗

保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞

保護(hù)USB Type-C連接器

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友情鏈接(QQ：317243736)

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